大失配InGaAs异质结的MOCVD生长机制与材料特性的深度剖析.docxVIP

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2025-11-21 发布于上海
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大失配InGaAs异质结的MOCVD生长机制与材料特性的深度剖析.docx

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大失配InGaAs异质结的MOCVD生长机制与材料特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，InGaAs异质结凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位。InGaAs材料是由铟（In）、镓（Ga）和砷（As）组成的三元化合物半导体，通过调整In和Ga的组分比例，其禁带宽度可在一定范围内灵活变化，这一特性使得InGaAs异质结在光电器件应用中展现出巨大的优势。例如，在光纤通信领域，工作在1.3μm和1.55μm波长的InGaAs/InPPIN光电探测器是实现高速、长距离光信号传输的关键器件，它们能够高效地将光信号转换为电信号，