第八章溅射法.pptVIP

电子束辅助离子镀第94页，共117页，星期日，2025年，2月5日反应性电子束辅助离子镀第95页，共117页，星期日，2025年，2月5日直流三极型1－阳极2－进气口3－蒸发源4－电子吸收极5－基片6－热电子发射极7－直流电源8－真空室9－蒸发电源10－真空系统第96页，共117页，星期日，2025年，2月5日第97页，共117页，星期日，2025年，2月5日射频放电离子镀1－溶化坩埚2－热电偶3－基片支持架(阴极)4－真空室5－基片6－RF线圈7－匹配箱8－同轴电缆9－高频电源10－加速用直流电源11－蒸发电源12－真空系统13－真空计14－调节阀15－反应气体入口第98页，共117页，星期日，2025年，2月5日阴极电弧等离子体沉积离化率高，离化的离子动能高(40-100eV)。可沉积复杂形状基片，沉积率高，均匀性好，基片温度低，易于制备理想化学计量比的化合物或合金。第99页，共117页，星期日，2025年，2月5日第100页，共117页，星期日，2025年，2月5日第101页，共117页，星期日，2025年，2月5日增加了对沉积束团的控制；与基片结合良好；在低温下可实现外延生长；形貌可变；可合成化合物；可在低温衬底沉积，避免高温引起的扩散离子镀的优点第102页，共117页，星期日，2025年，2月5日离子镀过程中的离化率问题离子镀是在等离子体内，蒸发或溅射的原子部分或大部分被离化的情况下进行沉积的。离化率即被电离的原子占全部蒸发原子的百分比。二极型：0.1~2%射频：10%多弧:60~80%第103页，共117页，星期日，2025年，2月5日离子镀的粒子绕射性离子镀的工作气压约10-1Pa，比普通的真空蒸镀10-4高，所以蒸发原子的平均自由程低，散射严重，所以绕射性好。在气体放电的离子镀中，沉积粒子呈现正电性，从而受到处于负电位的基片的吸引作用。离子镀的粒子绕射性提高薄膜对于复杂外形表面的覆盖能力。第104页，共117页，星期日，2025年，2月5日Plotsoffront/backfilmthicknessratio(R)vssource-substratedistance(l).CurvesarefordifferentvaluesoflThecoatingthicknessuniformitymodelisalsophysicallydepicted.第105页，共117页，星期日，2025年，2月5日离子束辅助沉积第106页，共117页，星期日，2025年，2月5日离子束溅射工作压强低，溅射粒子被散射少，基片远离粒子发生过程；凝聚粒子能量较高，利于扩散。增加了控制自由度：可改变离子束方向及基片方向，可独立控制离子束能量和电流。轰击到的靶面积小，沉积率较低，不适合沉积厚度均匀的大面积薄膜第107页，共117页，星期日，2025年，2月5日考夫曼离子源结构示意图第108页，共117页，星期日，2025年，2月5日HgCdTe第109页，共117页，星期日，2025年，2月5日(a)Multipleion-beamtargetsystemfordepositingPbZrxTi1-xO3ferroelectricfilms,(b)Singleionbeam,multitargetsystemtodepositsimilarfilms.第110页，共117页，星期日，2025年，2月5日离子束沉积(ionbeamdeposition)法是利用离化的粒子作为蒸发物质，在比较低的基片温度下能形成具有优良特性的薄膜。一般分为两种：非质量分离式离子束沉积和质量分离式离子束沉积。1).非质量分离式离子束沉积它是利用离子源产生离子，将离子(如碳离子)直接引入沉积室，离子束在偏压电场作用下加速照射基片实施薄膜沉积。2).质量分离式离子束沉积，这种方式是从离子源引出离子束后，只选择出单一种离子对基片进行照射。与非质量分离方式相比，混入的杂质少，适合于制取高纯度薄膜。离子束或离化原子团束沉积第111页，共117页，星期日，2025年，2月5日团簇蒸发镀膜第112页，共117页，星期日，2025年，2月5日非质量分离型离子镀第113页，共117页，星期日，2025年，2月5日各种不同的磁控溅射装置增加电子对气体的电离效率第62页，共117页，星期日，2025年，2月5日第63页，