第三章光端机.pptVIP

式中，hf为光子能量，e为电子电荷。(3.13)(3.14)PIN光电二极管具有如下主要特性：(一)量子效率和光谱特性。光电转换效率用量子效率η或响应度ρ表示。量子效率η的定义为一次光生电子-空穴对和入射光子数的比值响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值第61页，共115页，星期日，2025年，2月5日式中，α(λ)和w分别为I层的吸收系数和厚度。由式(3.15)可以看到，当α(λ)w1时，η→1，所以为提高量子效率η，I层的厚度w要足够大。（1）量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。假设器件表面反射率为零，P层和N层对量子效率的贡献可以忽略，在工作电压下，I层全部耗尽，那么PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为(3.15)（2）量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱α(λ)，对长波长的限制由式(3.6)确定，即λc=hc/Eg。图3.22示出量子效率η和响应度ρ的光谱特性，由图可见，Si适用于0.8~0.9μm波段，Ge和InGaAs适用于1.3~1.6μm波段。响应度一般为0.5~0.6(A/W)。第62页，共115页，星期日，2025年，2月5日图3-22PIN光电二极管响应度、量子效应率与波长的关系第63页，共115页，星期日，2025年，2月5日(二)响应时间和频率特性。光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间τ或截止频率fc(带宽B)表示。对于数字脉冲调制信号，把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%，或后沿由90%下降到10%的时间，分别定义为脉冲上升时间τr和脉冲下降时间τf。当光电二极管具有单一时间常数τ0时，其脉冲前沿和脉冲后沿相同，且接近指数函数exp(t/τ0)和exp(-t/τ0)，由此得到脉冲响应时间τ=τr=τf=2.2τ0(3.16)第64页，共115页，星期日，2025年，2月5日对于幅度一定，频率为ω=2πf的正弦调制信号，用光生电流I(ω)下降3dB的频率定义为截止频率fc。当光电二极管具有单一时间常数τ0时，(3.17)PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间τd和包括光电二极管在内的检测电路RC常数所确定。第65页，共115页，星期日，2025年，2月5日当调制频率ω与渡越时间τd的倒数可以相比时，耗尽层(I层)对量子效率η(ω)的贡献可以表示为(3.18)由η(ω)/η(0)=得到由渡越时间τd限制的截止频率（3.19）式中，渡越时间τd=w/vs，w为耗尽层宽度，vs为载流子渡越速度，比例于电场强度。由式(3.19)和式(3.18)可以看出，减小耗尽层宽度w，可以减小渡越时间τd，从而提高截止频率fc，但是同时要降低量子效率η。第66页，共115页，星期日，2025年，2月5日图3.23内量子效率和带宽的关系第67页，共115页，星期日，2025年，2月5日由电路RC时间常数限制的截止频率式中，Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和，Cd为结电容Cj和管壳分布电容的总和。式中，ε为材料介电常数，A为结面积，w为耗尽层宽度。(3.20)(3.21)第68页，共115页，星期日，2025年，2月5日(三)噪声。噪声影响光接收机的灵敏度。噪声包括散粒噪声(ShotNoise)(由信号电流和暗电流产生)热噪声(由负载电阻和后继放大器输入电阻产生)（1）均方散粒噪声电流〈i2sh〉=2e(IP+Id)B(3.22)e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。2eIPB称为量子噪声(由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生)2e