局部有源忆阻器件的建模及应用.pdfVIP

摘要

局部有源忆阻器能放大微弱信号，具有纳米级、记忆性和低功耗等优势，是搭建振荡器

和人工神经网络的优良器件。目前对局部有源忆阻器的理论分析大多局限于特定的单一模型，

缺乏一般性的分析方法。为此，本文针对通用型局部有源忆阻器展开定量理论分析，得到忆

阻器及其振荡器的一般性规律和通用性设计方法。在此基础上，提出了局部有源忆阻器的简

化建模方法，设计了神经元电路，构建了神经网络用于模式识别。

本文的主要创新性工作如下：

(1)基于小信号分析方法、局部有源和霍普分岔理论提出了适用于通用型局部有源忆阻

器及其振荡电路的一般性分析方法。揭示了三个重要物理参数对该忆阻器及其振荡电路的重

要影响规律，其中包括小信号导纳(阻抗)函数，振荡电路工作频率和外加动态元件取值范围

与三个物理参数之间的定量关系。为了验证以上理论分析，提出了三种不同的流控型局部有

源忆阻器数学模型，尽管数学模型不同但它们的重要物理参数完全一致，仿真结果表明该三

种忆阻器展现出高度相似的电学行为，验证了理论分析正确性。

(2)针对澳大利亚国立大学电子材料工程系教授RobertGlenElliman的团队提供的氧化铌

忆阻器件实验数据，提出了一种简化的建模方法。氧化铌忆阻器的静态电压电流(DCV-I)曲

线可大致分为三部分：高阻区、负微分电阻区和低阻区。采用分段线性法近似拟合了该忆阻

器的DCV-I关系，并结合其动态行为建立了数学模型。首先以物理模型为例，将DCV-I曲

线进一步细分为四段，即三个拐点，仿真验证了建模方法的有效性。然后以实际纳米器件为

研究对象，采用了改进的五段模型，实验结果表明该模型可以准确地拟合忆阻器的静态特性

和动态行为。

(3)基于局部有源忆阻器分别设计了二阶和三阶神经元电路，并揭示了重要物理参数对

神经元尖峰放电行为的影响规律。在不同的输入电压和电路参数下，探究神经元电路产生的

多种神经形态行为。仿真结果表明，二阶和三阶神经元电路均可发放尖峰信号，三阶神经元

电路具有更加丰富的神经形态动力学行为，包括混沌行为、不应期行为和尖峰潜伏期行为等。

(4)采用NbO忆阻器件作为神经元，阈值型压控忆阻器为突触，建立了一种全电路神

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经网络用于模式识别。根据提出的无监督学习方法，突触权值在整个过程中进行更新，只有

受刺激最大的神经元的突触权值符合输入模式。以3张5×3像素二值图像为例进行识别，

仿真结果表明该电路可以正确地识别出不同的模式，验证了所提方法的有效性。

关键词：忆阻器，局部有源，建模，神经元，模式识别

ABSTRACT

Locally-activememristor(LAM)canamplifyweaksignals.Ithastheadvantagesofnano-scale,

memory,andlowpowerconsumption.Itisanexcellentdeviceforbuildingoscillatorsandartificial

neuralnetworks.Atpresent,thetheoreticalanalysisofLAMismostlylimitedtoaspecificsingle

modelandlacksageneralanalysismethod.Therefore,thispapercarriesoutthequantitative

theoreticalanalysisforgeneralLAMs.Weobtainthegenerallawanduniversaldesignmethodfor

generalLAMsandtheiroscillators.Onthisbasis,asimplifiedmodelingmethodofLAMisproposed,

theLAM-basedneuroncircuitisdesigned,andamemristiveneuralnetworkisconstructedforpattern

recognition.