晶闸管及其应用电工学.pptVIP

20.3.1晶闸管的过流保护1.快速熔断器保护电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。与晶闸管串联接在输入端~接在输出端快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。第30页，共53页，星期日，2025年，2月5日2.过流继电器保护3.过流截止保护在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。第31页，共53页，星期日，2025年，2月5日2.硒堆保护20.3.2晶闸管的过压保护1.阻容保护CR利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。RCRC硒堆保护(硒整流片)CR~RL晶闸管元件的阻容保护第32页，共53页，星期日，2025年，2月5日20.4单结晶体管触发电路20.4.1单结晶体管结构及工作原理1.结构B2第二基极B1N欧姆接触接触电阻P发射极E第一基极PN结N型硅片(a)示意图单结晶体管结构示意图及其表示符号(b)符号B2EB1第33页，共53页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理?UE?UBB+UD=UP时PN结反偏，IE很小；PN结正向导通,IE迅速增加。UE?UP时??–分压比(0.5~0.9)UP–峰点电压UD–PN结正向导通压降B2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效电路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1测量单结晶体管的实验电路由图可求得第34页，共53页，星期日，2025年，2月5日3.单结晶体管的伏安特性UV、IV(谷点电压、电流):维持单结管导通的最小电压、电流。UP(峰点电压)：单结管由截止变导通所需发射极电压。IpIVoIEUEUP峰点电压UV谷点电压V负阻区截止区饱和区负阻区：UEUP后，大量空穴注入基区，致使IE增加、UE反而下降，出现负阻。P第35页，共53页，星期日，2025年，2月5日1.UEUP时单结管截止；UEUP时单结管导通，UEUV时恢复截止。单结晶体管的特点B2EB12.单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及分压比?有关，外加电压UBB或分压比?不同，则峰点电压UP不同。3.不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。常选用?稍大一些，UV稍小的单结晶体管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。第36页，共53页，星期日，2025年，2月5日20.4.2单结晶体管触发电路1.振荡电路单结晶体管弛张振荡电路单结晶体管弛张振荡电路利用单结管的负阻特性及RC电路的充放电特性组成频率可调的振荡电路。ugR2R1RUucE+C+__+_50?100k?300?0.47?F第37页，共53页，星期日，2025年，2月5日ugR2R1RUuCE+C+__+_50?100k?300?0.47?F2.振荡过程分析设通电前uC=0。接通电源U,电容C经电阻R充电。电容电压uC逐渐升高。当uC?UP时,单结管导通,电容C放电,R1上得到一脉冲电压。UpUvUp-UDuC?tug?t电容放电至uC?Uv时，单结管重新关断，使ug?0。(a)(b)第38页，共53页，星期日，2025年，2月5日下一页总目录章目录返回上一页晶闸管及其应用电工学第1页，共53页，星期日，2025年，2月5日本章要求1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特性和主要参数。2.理解可控整流电路的工作原理、掌握电压平均值与控制角的关系。3.了解单结晶体管及其触发电路的工作原理。第20章晶闸管及其应用第2页，共53页，星期日，2025年，2月5日晶闸管（SiliconControlledRectifier）