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电力电子技术专业课考研大纲（三篇）

教案一：课题名称

电力电子器件原理与选型——从二极管到IGBT的特性分析

一、教学目标

知识与技能

面向考研学生，能准确复述6类主流电力电子器件（二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等）的伏安特性与开关机制，特性记忆准确率≥90%

学会运用器件选型五要素法（电压等级、电流容量、开关频率、损耗特性、驱动要求）设计器件选型方案，方案完整率≥85%

理解功率器件寄生参数（如IGBT的米勒电容、二极管的反向恢复时间）对电路性能的影响，影响分析准确率≥70%

过程与方法

通过器件解剖→特性对比→工程应用的路径，建立原理分析—参数匹配—损耗优化的器件应用思维

运用器件datasheet解析表损耗计算软件开关特性测试平台强化训练，通过器件故障模拟提升工程实践能力

情感态度与价值观

建立器件是电力电子系统基石的核心认知，主动研究新型器件资料的学员≥80%

培养参数敏感、损耗必究的精密工程素养

二、教学重点与难点

重点

①解析IGBT导通/关断过程的双极型导电机制（少数载流子注入效应）

②掌握晶闸管触发条件与擎住效应的工程避免方法（触发脉冲宽度计算）

难点

①理解MOSFET跨导特性与驱动电阻的协同关系（驱动电阻对开关速度的影响）

②辨析二极管正向压降与反向漏电流的温度特性差异（正温特性vs负温特性）

三、教学方法

器件解剖法、对比分析法、仿真验证法

教学准备

《电力电子技术》器件章节教材、IGBT/MOSFET实物模块、PSIM仿真软件、器件特性测试数据手册

四、教学过程

（一）器件王国导入（10分钟）

产业冲击

展示新能源汽车电机控制器IGBT模块过热烧毁的失效案例：一个20μs的开关延迟如何引发系统崩溃？器件选型为何是电路设计的第一步？

即时互动：学员列举见过的电力电子设备（变频器、充电器），讨论核心器件失效后果

理论初触

精读教材第三章《电力电子器件》：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降，其转移特性曲线反映栅极电压对集电极电流的控制能力。

板书对比：用不同颜色标注器件符号、核心参数、典型应用场景

（二）特性解构工坊（35分钟）

器件显微镜（15分钟）

三维解析：

器件类型

核心结构

开关速度

典型损耗

考研高频考点

二极管

PN结

纳秒级（快恢复）

反向恢复损耗

软恢复特性分析

IGBT

集电区+栅极氧化层

微秒级

开关损耗+通态损耗

米勒平台形成机制

现场演示：用示波器对比普通二极管与肖特基二极管的反向恢复波形，标注关键时间点

选型站（12分钟）

五步骤解析：

确定母线电压：选择器件耐压≥1.5倍峰值电压

计算额定电流：考虑占空比与结温限制（如IGBT安全工作区SOA）

匹配开关频率：MOSFET适合高频（100kHz），IGBT适合中频（10-50kHz）

错误诊所：对比器件降额不足与过度降额的不同后果（如发热烧毁vs成本浪费）

寄生参数坊（8分钟）

小组讨论：为什么IGBT驱动电路需要匹配栅极电阻？（引导关注米勒电容引起的振荡问题）

金句提炼：器件选型不是选最贵的，是选最合身的——就像买鞋，舒服比好看更重要

（三）工程实践课堂（20分钟）

参数速算赛

分组任务：给定工况（母线电压380V，输出电流100A，开关频率20kHz），快速选出合适的IGBT型号，正确率最高组获器件专家称号

故障模拟秀

情景模拟：在PSIM中搭建Buck电路，故意设置MOSFET驱动电阻过小，观察漏极电压振荡波形，分析寄生参数影响

datasheet解析坊**

解析英飞凌FF300R12ME4datasheet，标注安全工作区、结温特性曲线、驱动电压范围

（四）互动交流：器件诊所（15分钟）

问题1：晶闸管为什么需要换相电路？（预留8分钟）

引导话术：想想晶闸管的导通/关断条件

参考答案：

生1：因为晶闸管只能单向导电

生2：晶闸管一旦导通无法自关断！必须通过外部电路降低阳极电流至维持电流以下，就像水龙头打开后不能自动关闭，得手动拧回去

问题2：为什么IGBT的开关速度比MOSFET慢？（预留7分钟）

参考答案：

生1：因为IGBT体积大

生2：IGBT存在少数载流子存储效应！MOSFET是多子导电，而IGBT关断时需要排除P+集电区的过剩载流子，就像清空水池比排空水管更慢

五、课本讲解（教材节选）

原文内容

《电力电子技术》：功率MOSFET的漏极电流随栅源电压变化的转移特性呈平方律关系，其通态电阻具有正温度系数