第十二章半导体磁阻效应.pptVIP

由于电阻率?变化引起的R变化物理磁阻效应由于几何尺寸l/s的变化引起的R变化几何磁阻效应按机理分类第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日如图，若不计及载流子的速度分布，则稳定时全部载流子以Vx的速度沿电场方向运动，则没有表现出横向磁阻效应。若计及载流子的速度分布，则当载流子速度V大于或者小于Vx时，速度会横向分量，因此受到受到散射的概率变大，导致垂直方向的电流变小，因此产生了横向磁阻效应。ExvxfqEyV＜VxV＞VxBzEy空穴在磁场作用下的运动第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日类比：质谱仪...................................................................-+速度选择器照相底片质谱仪的示意图B’第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日通常用电阻率的相对改变来形容磁阻，则磁阻的大小为：当磁场不太强时，即时，对于等能面为球面的非简并半导体，一种载流子导电时，可以得到:其中为横向磁阻系数，同载流子平均自由程的分布情况有关其值为对于长声学波散射，，对于电离杂质散射，则，时，不显示横向磁阻效应。第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日若同时考虑两种载流子的运动，即使不计及载流子速度的统计分布，也显示出横向磁阻效应。其中JJpJn(a)JnJp(b)JBz第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日Bz=0，E=ExbBz?0且l/b1JEEJl第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日Bz?0且l/b1Bz?0且l/b1lb霍尔效应明显的样品，磁阻效应就小，反之，霍尔电压较小的样品，磁阻就大。科比诺圆盘在磁场强度为B时，电阻为：科比诺圆盘第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日利用磁阻效应可以制作半导体磁敏电阻磁阻大小同霍尔角有关，霍尔角越大则磁阻效应越明显。迁移率越大，霍尔角越大，所以常选用InSb（），InAs等高迁移率的材料制造磁敏电阻。第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日第38页，共56页，星期日，2025年，2月5日第39页，共56页，星期日，2025年，2月5日第40页，共56页，星期日，2025年，2月5日第十二章半导体磁阻效应第1页，共56页，星期日，2025年，2月5日霍尔效应磁阻效应磁光效应量子霍尔效应第2页，共56页，星期日，2025年，2月5日一种载流子的霍尔效应载流子在电磁场中的运动两种载流子的霍尔效应霍尔效应的应用第3页，共56页，星期日，2025年，2月5日1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”1980年，德国物理学家冯·克利青发现整数量子霍尔效应。他因此获得1985年诺贝尔物理学奖。1982年，崔琦、施特默和赫萨德(A.C.Gossard)发现了分数量子霍尔效应，前两者因此与劳赫林(RobertBettsLaughlin)分享了1998年诺贝尔物理学奖。第4页，共56页，星期日，2025年，2月5日n型半导体及p型半导体的霍尔效应第5页，共56页，星期日，2025年，2月5日霍尔电场Ey与电流密度Jx电和磁感应强度By成正比，即：比例系数RH为霍尔系数，即：霍尔系数的单位为：m3C-1第6页，共56页，星期日，2025年，2月5日以p型半导体为例，当横向电场对空穴的作用和洛伦兹力平衡时，达到稳定状态，横向霍尔电场满足:因此霍尔电场Ey：霍尔系数RH为：对于n型半导体，类似的，得到n型半导体p型半导体第7页，共56页，星期日，2025年，2月5日横向霍尔电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一方向，两者之间的夹角称为霍尔角。霍尔角满足：对于p型和n型的半导体，霍尔角的符号也不同，p型为正，n型为负。第8页，共56页，星期日，2025年，2月5日