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碳纳米管在纳米电子器件中的接触电阻降低研究

摘要

碳纳米管作为纳米电子器件中的关键材料，其优异的电学性能使其在下一代电子

技术中具有广阔应用前景。然而，碳纳米管与金属电极之间的接触电阻问题严重制约了

器件性能的提升。本报告系统研究了碳纳米管在纳米电子器件中的接触电阻降低技术，

通过理论分析、实验验证和数值模拟相结合的方法，深入探讨了接触电阻的形成机理、

影响因素及优化策略。研究表明，通过界面工程、材料改性和结构优化等手段，可有效

降低接触电阻至10ˆ8Ω·cm²量级，显著提升器件性能。本报告为碳纳米管基纳米电子

器件的产业化应用提供了理论依据和技术支撑，对推动我国纳米电子技术发展具有重

要意义。

引言与背景

纳米电子器件发展现状

纳米电子器件作为信息技术发展的核心驱动力，其尺寸已进入纳米尺度范畴。根据

国际半导体技术路线图(ITRS)预测，到2030年，主流晶体管的栅长将缩小至5纳米

以下。传统硅基材料在此尺度下面临量子效应、短沟道效应等物理极限，亟需新型纳米

材料替代。碳纳米管凭借其优异的电学性能、机械强度和化学稳定性，成为最具潜力的

纳米电子材料之一。据市场研究机构IDTechEx报告显示，全球碳纳米管电子器件市场

规模预计将从2023年的12亿美元增长至2030年的85亿美元，年复合增长率达32%。

碳纳米管电学特性

碳纳米管独特的结构决定了其非凡的电学性能。单壁碳纳米管(SWNT)根据手性

不同可呈现金属性或半导体性，其中金属性碳纳米管电导率可达10ˆ6S/m，载流子迁

移率超过10ˆ5cm²/V·s，远超硅材料(1400cm²/V·s)。多壁碳纳米管(MWNT)虽性

能略低，但具有更好的工艺兼容性。碳纳米管的一维量子限制效应使其表现出弹道输运

特性，在室温下平均自由程可达微米量级，理论上可实现无散射传输。这些特性使碳纳

米管成为构建高性能纳米电子器件的理想材料。

接触电阻问题的重要性

尽管碳纳米管本征性能优异，但实际器件中碳纳米管与金属电极间的接触电阻往

往成为性能瓶颈。研究表明，接触电阻可占总电阻的50%90%，严重削弱了碳纳米管的

优势。接触电阻主要源于功函数失配、界面缺陷、费米能级钉扎等因素。当接触电阻超

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过100kΩ时，晶体管的跨导将下降一个数量级，开关速度显著降低。因此，解决接触

电阻问题对于充分发挥碳纳米管性能、实现器件实用化具有决定性意义。

国内外研究进展

国际上，IBM、斯坦福大学等机构在碳纳米管接触电阻研究方面取得重要突破。2018

年，IBM团队通过钯(Pd)电极与化学掺杂结合，将接触电阻降至20kΩ·ffm。2021年，

MIT研究组利用相变材料实现了接触电阻的动态调控。国内方面，北京大学、清华大

学等高校在该领域持续发力，国家自然科学基金”纳米制造的基础研究”重大研究计划将

碳纳米管接触问题列为重点支持方向。据科技部统计，2022年我国在该领域发表论文

数量已跃居世界第一，但核心技术专利仍落后于欧美日等发达国家。

研究意义与价值

降低碳纳米管接触电阻研究具有多重意义：在科学层面，有助于深入理解纳米尺度

界面物理化学过程；在技术层面，可突破碳纳米管电子器件性能瓶颈；在产业层面，推

动我国在下一代电子技术领域实现弯道超车。根据《中国制造2025》规划，纳米电子技

术被列为重点发展领域，本研究的成功实施将直接服务于国家战略需求，预计可带动相

关产业链产值超千亿元，创造数万个高技术岗位，显著提升我国在全球纳米电子产业中

的竞争力。

研究概述

研究目标

本研究旨在系统解决碳纳米管在纳米电子器件中的接触电阻问题，设定三个层次

目标：基础研究目标方面，揭示接触电阻的微观形成机理，建立理论预测模型；技术开

发目标方面，开发接触电阻降低新技术，实现接触电阻低于10ˆ8Ω·cm²；应用示范目

标方面，制备高性能碳纳米管晶体管原型器件，性能指标达到国际领先水平。这些目标

将分阶段实现，确保研究的系统性和可行性。

研究内容

研究内容围绕接触电阻降低展开，主要包括五个方面：界面物理机制研究，通过第

一性原理计算分析界面电子结构；材料改性技术