亚波长光栅赋能硅基垂直耦合器：性能优化与创新设计.docxVIP

亚波长光栅赋能硅基垂直耦合器：性能优化与创新设计

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，数据流量呈爆炸式增长，对高速、高效的数据传输与处理技术提出了极高要求。硅基光电子芯片作为后摩尔时代的关键技术之一，凭借其高速率、低时延、低功耗以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容等显著优势，在光通信、数据中心、光计算等众多领域展现出巨大的应用潜力，成为了学术界和产业界共同关注的焦点。

在硅基光电子芯片的实际应用中，实现芯片与外部光纤之间高效的光信号耦合是一个至关重要的环节，也是目前面临的主要挑战之一。由于光纤的模场直径通常在几微米到几十微米之间，而硅基光波导的尺寸则在亚微米量级，两者之间存在着巨大的尺寸失配，这使得光信号在耦合过程中会产生严重的损耗，极大地限制了硅基光电子芯片的性能和应用范围。此外，传统的耦合方式还存在耦合区集成度低、对准精度要求高、制作工艺复杂等问题，进一步增加了实现高效光耦合的难度。

亚波长光栅（Sub-WavelengthGrating，SWG）是一种特征尺寸小于光波长的周期性结构，具有独特的光学特性，如灵活的折射率剪裁能力、对光场的有效调控能力等。将亚波长光栅应用于硅基垂直耦合器的设计中，可以有效地解决光纤与硅基光波导之间的尺寸失配问题，提高光信号的耦合效率，降低耦合损耗。同时，亚波长光栅结构还具有紧凑、易于集成等优点，能够满足硅基光电子芯片对高集成度的要求。因此，基于亚波长光栅的硅基垂直耦合器的研究对于推动硅基光电子芯片的发展和应用具有重要的理论意义和实际应用价值。通过深入研究亚波长光栅的光学特性和耦合机理，设计出高性能的硅基垂直耦合器，有望突破硅基光电子芯片光耦合的技术瓶颈，为实现高速、高效的光通信和光计算提供关键技术支持。

1.2国内外研究现状

在国外，许多科研机构和高校在基于亚波长光栅的硅基垂直耦合器研究方面取得了一系列重要成果。多伦多大学于2014年采用150nm顶层硅厚度的绝缘体硅（SOI）平台，设计出高耦合效率与大宽带光栅耦合器，该光栅耦合器衍射场具有更高的基模模式重叠积分，实现了C波段峰值耦合效率为-1.29dB以及1dB带宽为80nm的测试结果。2021年，SáNCHEZ-POSTIGOA及其团队利用超材料波导与倾斜硅棱镜的零阶辐射，克服了传统衍射光栅的效率-带宽限制，该设备在超过90nm的1dB带宽内实现了超过80%的耦合效率。2023年，VITALIV等设计并实验验证了一种三层硅基光栅耦合器，该耦合器基于340nm厚的硅平台，借助更厚的硅层与三层光栅结构，实现了在1550nm波长下-0.8dB的耦合效率。

国内的科研团队也在该领域积极开展研究，并取得了不少进展。2018年，中山大学CAIXinlun教授及其团队设计了一种低损耗的二维硅基光栅耦合器，该耦合器通过背面金属镜提高耦合效率，其值为-1.8dB，1550nm中心波长处1dB带宽为32nm。2022年，天津大学CHENGZhenzhou课题组研发了一种超薄中红外硅基光栅耦合器，该耦合器为超薄悬挂式亚波长光栅包层波导耦合设计，其最大耦合效率为-7.1dB，中心波长为2200nm，1dB带宽约为115nm。2024年，天津大学精密仪器与光电子工程学院的光子芯片实验室与深圳大学合作，设计开发了一种新型的硅基亚波长光栅耦合器，可以同时实现超高再现性、超宽带宽、超低反射的波导光场耦合，利用纳米制造设备加工的SWG耦合器可同时获得-5.5dB的耦合效率、～160nm的1-dB带宽、低于-21.2dB的背向反射，同时对0.2的占空比变化表现出高制造再现性。

尽管国内外在基于亚波长光栅的硅基垂直耦合器研究方面已经取得了一定的成果，但目前的研究仍存在一些空白与不足。部分研究虽然实现了较高的耦合效率，但耦合器的结构复杂，制作工艺难度大，不利于大规模生产和应用；一些研究在提高耦合效率的同时，牺牲了耦合带宽或背向反射性能，难以满足实际应用中对多性能指标的要求；此外，对于亚波长光栅结构与硅基光波导之间的耦合机理以及工艺容差对耦合器性能的影响等方面的研究还不够深入，需要进一步加强理论分析和实验验证。

1.3研究目标与内容

本研究旨在设计并优化基于亚波长光栅的硅基垂直耦合器，以提高光信号的耦合效率，拓展耦合带宽，降低背向反射，同时增强耦合器对制作工艺误差的容忍度，实现高性能、高可靠性且易于集成的硅基垂直耦合器设计。具体研究内容如下：

亚波长光栅的理论分析与数值模拟：深入研究亚波长光栅的等效介质理论、严格耦合波理论等，掌握亚波长光栅的光学特性和光场调控机制。利用数值仿真算法，如有限元法