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超导量子芯片中量子比特的耦合器非线性效应抑制1

超导量子芯片中量子比特的耦合器非线性效应抑制

摘要

超导量子计算作为量子计算技术的重要分支，近年来取得了显著进展。然而，量子

比特间的耦合器非线性效应已成为制约超导量子芯片性能提升的关键瓶颈。本报告系

统研究了超导量子芯片中量子比特耦合器非线性效应的产生机制、影响规律及抑制方

法。通过理论分析与实验验证相结合的方式，提出了基于参数调制、材料优化和结构改

进的综合抑制方案。研究表明，采用新型铌钛氮（NbTiN）材料制备的耦合器可将非线

性系数降低40%以上；通过动态频率调控技术，可实现量子比特间耦合强度的精确控

制，误差低于2%。本报告的研究成果为高性能超导量子芯片的设计与制造提供了理论

依据和技术支撑，对推动我国量子计算产业发展具有重要意义。

引言与背景

量子计算技术发展现状

量子计算作为颠覆性计算范式，利用量子叠加和纠缠等特性，在特定问题上展现出

远超经典计算的潜力。根据国际量子计算产业报告数据显示，2022年全球量子计算市

场规模已达12.3亿美元，预计2025年将突破50亿美元。超导量子计算因其可扩展性

和相对较长的相干时间，成为最有前景的