支持获得空间先导专项第三批预先研究课题.pptVIP

50GeV电子在各层的能量沉积分布：实验结果符合预期*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.1电性件研制CERN束流标定200GeV高能电子簇射展开二维图：实验结果符合预期*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.1电性件研制CERN束流标定5GeV~290GeV内能量线性良好可用于外推能量标定能量分辨随能量升高而呈下降趋势200GeV时能量分辨即好于1%保证满足分辨率1.5%@800GeV的设计指标Fitfunction:a+b/√E4.1电性件研制CERN束流标定*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.2结构件研制20XX年XX月交付卫星进行力学试验*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制BGO晶体批量测试BGO晶体的光产额、均匀性测试*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制PMT灌封科大研制，外协XXX所工艺实施，共XXX套*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制PMTBase生产及电装所有Base板经历环境应力筛选（18.5次热循环）科大设计，外协XXX所实施，共XXX套~30版改进?定型4.3鉴定件研制PMT组件与装配*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制PMT组件转运?科大*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制PMT组件入所测试*4.3鉴定件研制探测器（PMT、晶体）配对测试PMTFEE*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学4.3鉴定件研制FEE生产及电装所有FEE板经历环境应力筛选（18.5次热循环）科大设计，XX种型号外协XXX所实施，各XX/XX/XX块4.3鉴定件研制FEE装配到屏蔽板核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*4.3鉴定件研制总装前的工艺摸索——走线试验总装前的工艺摸索——走线试验未来计划关键技术条件保障工作进展4523目录工作内容1*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学BGO晶体大动态范围读出量能器测量能区（电子和γ）：5GeV~10TeV单BGO晶体单元动态范围：11.5MeV~2TeV最小可测0.5MIPs（~11.5MeV），最大能量沉积~2TeV动态范围跨度1.8×105能量分辨：1.5%@800GeV解决方案PMT多打拿极读出基于高集成度ASIC芯片的电荷测量晶体荧光衰减*2关键技术核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*2.1PMT多打拿极读出特点：核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*2.1PMT多打拿极读出结构及导热设计核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学FEE-AFEE-BFEE-C*2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学*2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学FEE测试结果*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量关键元器件抗辐照性能评估*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量总剂量实验：在中国计量科学研究院进行*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量抗闩锁试验之激光模拟*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量抗闩锁试验之重离子束流实验评估*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量单粒子效应评估*核探测与核电子学国家重点实验室中国科学技术大学2.2基于高集成度ASIC芯片的电荷测量抗辐照加固措施原材料型号：AGFAIdealineRPF*2.3晶体荧光衰减功能避免高能区的粒