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較低的k態的能量降低,即微擾的結果使k態和k’態的能量差進一步加大。(2)這表示k和k’很接近布裏淵區邊界的情況,將E±展開得由和其中為在布裏淵區邊界處自由電子的動能。得{以上的結果表明,兩個相互影響的態k和k’,微擾後的能量分別為E+和E-,當?0時,k’態的能量比k態高,微擾後使k’態的能量升高,而k態的能量降低。當??0時,E?分別以拋物線的方式趨於Tn??Un?。對於?0,k態的能量比k’態高,微擾的結果使k態的能量升高,而k’態的能量降低。從以上的分析說明,由於週期場的微擾,E(k)函數將在布裏淵區邊界k=?n?/a處出現不連續,能量的突變為這個能量突變稱為能隙,即禁帶寬度,這是週期場作用的結果。而在離布裏淵區邊界較遠處,電子的能量近似等於自由電子的能量,且是k的連續函數,這時週期場對電子運動的影響很小,電子的運動性質與自由電子基本相同。Ek’(0)Ek(0)E-E+TnTn§6.3三維週期場中電子運動的近自由電子近似一、方程與微擾計算方程:週期場:為格矢Fourier展開:勢能函數的平均值微小量零級近似:微擾項:可由自由電子求出零級近似的歸一化波函數和能量本征值與一維情況類似,一級微擾能量為一級修正的波函數和二級微擾能量分別為其中={當k’=k+Gn當k’?k+Gn當k離布裏淵區邊界較遠時,由於週期場的影響而產生的各散射波成分的振幅都很小,可以看成小的微擾。但是,在布裏淵區邊界面上或其附近時,即當k2?(k+Gn)2時,這時相應的散射波成分的振幅變得很大,不能當作小的微擾來處理,而要用簡並微擾來處理。零級近似的波函數由相互作用強的幾個態的線性組合來組成,由此可解得在布裏淵區邊界面上簡並分裂後的能量為需要指出的是,在三維情況下,在布裏淵區邊界面上的一般位置,電子的能量是二重簡並的,即有兩個態的相互作用強,其零級近似的波函數就由這兩個態的線性組合組成;而在布裏淵區邊界的棱邊上或頂點上,則可能出現能量多重簡並的情況。對於g重簡並,即有g個態的相互作用強,因而,其零級近似的波函數就需由這g個相互作用強的態的線性組合組成,由此解出簡並分裂後的g個能量值。kk1k2k3kk3k2k1k4k5k6k7kxky二、布裏淵區與能帶引入週期性邊界條件後,在k空間中,波矢k的取值不連續,k的取值密度為V為晶體體積而簡約區的體積=倒格子原胞體積=?b簡約區中k的取值總數=?(k)?b=N=晶體原胞數每一個k確定一個電子能級,根據Pauli原理,每一個能級可以填充自旋相反的兩個電子。因此,簡約區中共可填充2N個電子。由於每一個布裏淵區的體積都等於倒格子原胞體積?b,所以,每一個布裏淵區都可以填充2N個電子。1.En(k)函數的三種圖象在k空間中,電子能量En(k)函數有三種不同的表示方式,稱為三種布裏淵區圖象。這三種表示方法是等價的,可根據所考慮問題的方便選擇不同的表示方法。若波向量k在整個k空間中取值,這時每一個布裏淵區中有一個能帶,第n個能帶在第n個布裏淵區中,這種表示法稱為擴展的布裏淵區圖象。ⅠⅡⅡⅢⅢ若將波向量k限制在簡約區中,由於k和k+Gl所對應的平移算符本征值相同,也就是說,所k和k+Gl標誌的原胞間電子波函數的位相變化相同。在這個意義上,可以認為k和k+Gl是等價的。因此,可以將k限制在簡約區中。但是由於電子的能量分為若干個能帶,如將所有能帶都表示在簡約區中,那麼,對於一個簡約波矢k,就有若干個分立的能量值與之對應。我們用n來區分不同的能帶En(k)。對於給定的能帶n,En(k)是k的連續函數。ⅠⅡⅡⅢⅢEn(k)的這種表示法稱為簡約布裏淵區圖象。實際上,由於我們認為k和k+Gl等價,因而,En(k)的簡約布裏淵區圖象中的第n個能帶,實際上是由擴展布裏淵區圖象中從第n個布裏淵區中平移一個倒格矢Gl而得來的。由於認為k和k+Gl等價,因而可以認為En(k)是k空間中以倒格矢Gl為週期的週期函數,即En(k)=En(k+Gl)。而簡約布裏淵區是倒易空間的原胞,以此原胞為重複單元進行平移操作可以得到整個k空間,這些單元都是等價的。因此,對於同一能帶有

En(k)=En(k+Gl)En(k)的這種表示法稱為週期布裏淵區圖象。擴展布裏淵區圖象:不同的能帶在k空間中不同的布裏

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