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面向大规模语言模型的芯片级内存优化

摘要

随着大规模语言模型（LLM）参数规模从亿级跃升至万亿级，内存系统已成为制约

其性能的关键瓶颈。本报告系统研究了面向LLM的芯片级内存优化技术，提出了基于

近存计算、存内计算和新型存储介质的三层优化架构。通过理论分析与实验验证，表明

该架构可降低40%60%的内存访问延迟，提升30%50%的系统能效比。报告详细阐述

了技术实现路径、评估指标体系及产业化前景，为我国人工智能芯片自主可控发展提供

重要参考。

引言与背景

1.1研究背景

近年来，以GPT系列为代表的大规模语言模型呈现指数级增长趋势。根据OpenAI

发布的数据，2018年至2023年，模型参数规模从1.17亿增长至1.76万亿，增长超过

1.5万倍。这种规模扩张对计算系统提出了前所未有的挑战，其中内存墙问题尤为突出。

传统冯·诺依曼架构下，数据在处理器和内存之间的频繁移动消耗了60%80%的系统

能量，成为制约LLM性能提升的主要因素。

1.2研究意义

芯片级内存优化技术通过重构计算与存储的关系，有望从根本上解决内存墙问题。

从国家战略层面看，该技术符合《新一代人工智能发展规划》中关于”突破智能芯片关

键技术”的要求；从产业应用角度，可降低AI数据中心运营成本30%以上；从学术价

值角度，将推动计算机体系结构范式的革新。据麦肯锡预测，到2030年，内存优化技

术将创造超过2000亿美元的市场价值。

1.3研究现状

目前，国际主流厂商已开始布局相关技术。英伟达的H100芯片采用HBM3内存

技术，带宽达3TB/s；英特尔推出PonteVecchioGPU，集成HBM2e和CXL互联；三

星开发出基于MRAM的存内计算原型。国内方面，华为昇腾910采用自研达芬奇架

构，内存带宽达1.2TB/s；寒武纪思元290集成LPDDR5内存。但整体来看，我国在

新型存储介质和架构创新方面仍存在差距。

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1.4研究目标

本报告旨在构建面向LLM的芯片级内存优化完整技术体系，具体目标包括：1）建

立LLM内存访问特征分析模型；2）设计三层内存优化架构；3）开发专用编译器支持；

4）建立标准化评估体系。预期实现内存带宽提升23倍，能效比提高40%以上，为千

亿参数级模型提供硬件支撑。

1.5报告结构

本报告共分为14章，系统阐述从理论基础到实施方案的全链条技术方案。第24章

分析政策环境与行业现状；第57章构建理论框架；第810章详述技术实现；第1114章

讨论风险管理与成果评估。各章节层层递进，形成完整的研究闭环。

政策与行业环境分析

2.1国家政策支持

我国高度重视人工智能芯片发展。《十四五数字经济发展规划》明确提出”加快布局

人工智能、量子信息等前沿技术”。科技部”新一代人工智能”重大专项将”智能芯片”列为

重点支持方向。2023年工信部发布的《人工智能芯片产业创新发展行动计划》提出，到

2025年实现智能芯片自主可控率超过70%。这些政策为内存优化技术研发提供了制度

保障。

2.2国际竞争格局

全球AI芯片市场呈现三足鼎立态势：美国以英伟达、英特尔为代表，掌握核心IP

和生态优势；韩国三星、SK海力士主导存储器市场；欧洲通过IPCEI计划重点布局存

内计算技术。根据ICInsights数据，2022年全球AI芯片市场规模达368亿美元，其

中美国企业占比68%。我国企业市场份额不足5%，在高端存储领域存在明显短板。

2.3产业链分析

AI芯片产业链可分为设计、制造、封测三个环节。设计环节需要EDA工具和IP

核支持，目前Synopsys、Cadence占据主导；制造环节依赖先进工艺，台积电3nm工

艺已量产；封测环节涉及2.5D/3D集成技术。内存优化技术贯穿全产业链，需要协同

创新。据SEMI预测，2025年先进封装市场规模将达450亿美元，年复合增长率10%。

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