等离子体与机械力协同：AlN低温合成的创新路径与机制探究.docx

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2025-12-10 发布于上海
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等离子体与机械力协同：AlN低温合成的创新路径与机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学领域，氮化铝（AlN）材料以其独特且卓越的性能，在众多关键技术领域中占据着举足轻重的地位。AlN作为一种重要的无机非金属材料，具有高导热性、出色的电绝缘性、较低的介电常数和损耗、与半导体硅相近的热膨胀系数以及无毒等一系列优异特性。其理论热导率高达320W/（m?K），是传统氧化铝陶瓷的数倍之多，这一特性使得AlN在电子器件散热领域表现极为突出，能够有效解决电子设备在运行过程中产生的热量积聚问题，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。同时，良好的电绝缘性能使其成为电子封装和集成电路基板