2025年(微电子科学与技术)半导体光电子器件试题及答案.docxVIP

2025年(微电子科学与技术)半导体光电子器件试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.关于III-V族半导体发光二极管（LED）的发光机制，以下描述正确的是（）。

A.主要依赖施主-受主对复合发光，辐射复合效率与注入载流子浓度成线性关系

B.发光波长由材料禁带宽度决定，GaN基LED发射红光需通过量子阱结构调节

C.非辐射复合主要包括俄歇复合和多声子辅助复合，高温下俄歇复合占比显著增加

D.外量子效率等于内量子效率与光提取效率之和，提升光提取效率需降低表面反射

答案：C

解析：LED发光以带间辐射复合为主（A错误）；GaN禁带宽度约3.4eV，对应紫外-蓝光，红光需InGaP等材料（B错误）；外量子效率=内量子效率×光提取效率（D错误）；高温下俄歇复合（载流子间能量转移）随温度指数增长，是主要非辐射复合机制（C正确）。

2.分布反馈激光器（DFB-LD）中，布拉格光栅的主要作用是（）。

A.增强光反馈，实现单纵模输出

B.提高载流子注入效率，降低阈值电流

C.限制横向光场分布，抑制高阶横模

D.调节材料折射率，扩展波长调谐范围

答案：A

解析：DFB激光器通过周期光栅提供布拉格反射（λ=2nΛ，n为有效折射率，Λ为光栅周期），实现波长选择性反馈，抑制多纵模，保证单纵模输出（A正确）；载流子注入效率由p-n结设计决定（B错误）；横向光场限制依赖波导结构（如脊形波导）（C错误）；波长调谐通常通过温度或电流调节折射率（D错误）。

3.雪崩光电二极管（APD）的雪崩倍增因子M与反向偏压V的关系近似为（）。

A.M∝V2

B.M∝exp(αW)（α为离化率，W为耗尽层宽度）

C.M∝1/(1-V/V_B)（V_B为击穿电压）

D.M∝√V

答案：C

解析：APD的雪崩倍增因子经验公式为M=1/[1-(V/V_B)^n]（n≈3~6），当V接近V_B时，M急剧增大（C正确）；指数形式为离化率积分的近似（B描述的是离化过程，非M的直接关系）；A、D无理论依据。

4.对于基于InGaAs的PIN光电探测器，为同时实现高响应度和高带宽，最佳设计是（）。

A.增加吸收层厚度，减小耗尽层宽度

B.减小吸收层厚度，增大耗尽层宽度

C.吸收层与耗尽层重合，厚度优化为载流子渡越时间与RC时间常数平衡值

D.采用异质结结构，使吸收层禁带宽度大于入射光能量

答案：C

解析：响应度R=ηq/(hν)，η与吸收层厚度（需足够吸收光）正相关；带宽受限于载流子渡越时间（与耗尽层宽度W成正比）和RC时间（与结电容C=εA/W成反比）。优化W需平衡渡越时间（τ_t=W/v_s）和RC时间（τ_RC=RC=R(εA/W)），使总带宽1/(2π√(τ_t2+τ_RC2))最大（C正确）。

5.以下关于量子阱激光器（QWL）的描述，错误的是（）。

A.量子阱结构通过限制载流子在二维平面运动，提高态密度，降低阈值电流

B.多量子阱（MQW）可增加受激辐射区域，同时保持低阈值特性

C.阱宽减小会导致导带和价带的量子限制斯塔克效应，蓝移发光波长

D.应变量子阱通过调节阱层与势垒层的晶格失配，优化材料增益特性

答案：C

解析：量子限制斯塔克效应（QCSE）是指外加电场下，量子阱中电子-空穴波函数重叠减少，导致发光波长红移（C错误）；量子阱的二维态密度在费米能级附近更集中，降低阈值电流（A正确）；MQW通过多个薄阱增加有效增益区域，同时避免厚层带来的俄歇复合（B正确）；应变量子阱可调节能带结构（如压应变使轻空穴带低于重空穴带，提高增益）（D正确）。

6.微型发光二极管（Micro-LED）显示技术中，以下关键挑战不包括（）。

A.巨量转移（MassTransfer）的高精度与高良率

B.小尺寸下电流拥挤效应导致的效率衰减

C.全彩化实现（红/绿/蓝三基色集成）

D.器件工作温度对发光波长的影响

答案：D

解析：Micro-LED的核心挑战包括：巨量转移（将百万级微米级芯片转移到驱动背板）（A）、小尺寸下电流扩展不均（电流拥挤）导致效率下降（B）、全彩化（RGB芯片集成或色转换）（C）；而常规LED的波长温度漂移（约0.1nm/℃）在Micro-LED中仍存在，但非“关键挑战”（D错误）。

7.关于半导体光放大器（SOA），以下描述正确的是（）。

A.增益饱和特性使其适合用作光限幅器，但会引入较大的相位噪声

B.与光纤放大器（如EDFA）相比，SOA的增益带宽更窄，噪声指数更低

C.行波式SOA通过增透膜抑制