5浙大课件资料.pdfVIP

材料表面与界面

第四节分界面

关注的区域

第四节分界面

分界面是指两个或数个凝集相的交界面。

与前述的界面差别：具有宏观二维尺寸条件下层

与层间的界面。

通常分界面有：

由氧化，腐蚀等化学作用生成的分界面基体与表

(

面层的界面)

由薄膜与基板间的界面

块与块结合界面，如熔焊或粘接的界面

第四节分界面

4.1Si-SiO2分界面

集成电路基板单晶硅

•Si-SiO2分界面的作用：电路中含有许多和多种半

导体晶体管或元件，元件隔离主要依靠SiO2。

形成过程：硅表面常会有意进行氧化，形成薄

•SiO2

层，从而存在着Si-SiO2分界面。

•Si-SiO2分界面质量：状况与器件、电路的性能、

成品率、可靠性等都有直接的关系。

第四节分界面

Si-SiO2分界面的结构

•层模型：

•迪安模型：

•约翰尼森模型

非晶态SiO的结构

2

具有完整二维SiO2

晶格结构，厚度约SiO层中缺氧较

2

为几个原子距多，不饱和键多

较多缺陷晶态Si结构

界面域内有硅夹杂

物（硅岛）

第四节分界面

4.2金属薄膜间的分界面

•薄膜电路或一般电路中，电路的连接采用金属

薄膜材料(导电带)。

•导电带要求：导电性好、附着力高、抗蚀、抗

氧化、焊接相容性好、抗老化性能好。

•一般一种金属是很难同样时间满足上述要求，

故采用多层金属薄膜结构。

第四节分界面

双层导电带

•Cr-Au双层金属膜是普遍采用的薄膜导电带。

•Cr与衬底有良好的附着性，Au具有优良的导

电性，能抗蚀抗氧化，所以Cr-Au可发挥出比

较理想导电带作用。

•缺点：

Cr在高温时很快往Au中扩散，使导电带电阻

增加；或生成CrO，使附着性能下降。

23

第四节分界面

4.3金属-非金属分界面

•金属-非金属分界面：金属被腐蚀或氧化形成新表面

层，金属和陶瓷间封接界面。

•分界面的附着力和稳定性，对性能有很大的影响。

(1)金属-非金属交界面的结构

•Ni/MgO的分界面：

界面过渡区厚度小于40nm，有NiO微晶(~10nm)存

在。

金属Ni晶粒与基板有一定的取向关系，有利于界面

能的减小，如[001]MgO//[021]Ni。

Cu/AlO界面

23

MnO(110)