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MEMS薄膜基片工艺残余应力的多维度实验解析与探究

一、绪论

1.1研究背景与意义

MEMS（Micro-Electro-MechanicalSystems）技术，即微机电系统技术，作为现代科技领域的关键前沿技术，正深刻地变革着众多产业的发展格局。它将机械部件、传感器、执行器和电子元件集成在微观尺度上，凭借其微小尺寸、高精度、低功耗和高可靠性等显著优势，在通信、汽车、医疗、工业自动化、航空航天等诸多领域展现出巨大的应用价值。

在通信领域，MEMS技术广泛应用于射频滤波器和开关，显著提升了通信设备的性能，实现了更高效的信号传输和处理。例如，MEMS射频滤波器以其更小的尺寸、更低的损耗和更高的选择性，保障了手机等无线设备在复杂电磁环境中的稳定通信质量。在汽车行业，MEMS压力传感器和加速度传感器是汽车安全系统，如安全气囊和防抱死制动系统的重要组成部分，MEMS陀螺仪和惯性测量单元则为车辆的导航和自动驾驶功能提供精确的姿态和位置信息，有力地推动了汽车智能化的发展进程。医疗领域中，MEMS技术的应用为医疗诊断和治疗带来了新的突破，MEMS生物传感器能够检测微小的生物标志物，实现快速、准确的疾病诊断，像血糖监测仪中的MEMS传感器，为糖尿病患者提供了便捷的自我监测手段，极大地改善了患者的生活质量。

随着MEMS技术在各个领域的深入应用，其市场规模也在持续快速增长。Yole数据显示，MEMS市场前景广阔，预计到2029年收入将达到200亿美元，高于2023年的146亿美元。尽管MEMS行业发展态势良好，但也面临着诸多挑战，如研发成本高昂、生产工艺复杂、市场竞争激烈等。此外，MEMS器件中的工艺残余应力问题，也成为制约其性能提升和广泛应用的关键因素之一。

在MEMS器件的制造过程中，由于涉及多种复杂的工艺步骤，如腐蚀、热氧化、光刻、沉积镀膜等，这些工艺会以不同方式在微器件中引入工艺残余应力。工艺残余应力主要包括本征应力和热失配应力。本征应力又称内应力，是指在室温和零外加负载的情况下，材料自身内部存在的应力，其成因复杂，主要源于晶格失配，在薄膜材料厚度方向分布不均匀时，会产生应力梯度，当应力梯度不足以抵抗薄膜自身的弹性模量时，薄膜就会产生变形，带动衬底产生翘曲或导致薄膜与衬底分离破裂。热失配应力则是由于不同材料的热膨胀系数差异引起的，在MEMS器件制备和使用过程中，只要存在温度变化以及热膨胀系数不同的两种材料，就不可避免地会产生热应力，如果热应力导致器件或膜层发生非弹性变形（塑性变形），则会造成器件制备失败和使用可靠性问题。

工艺残余应力的存在对MEMS器件的性能和可靠性有着至关重要的影响。在大多数情况下，它会导致功能薄膜出现龟裂、褶皱、脱落等损伤，还可能作用于基体，使微器件单元甚至整个传感器发生形变、失稳、信号误传导，乃至系统失效。据统计，因工艺残余应力导致的MEMS器件失效案例在实际生产中占据相当高的比例，给相关产业带来了巨大的经济损失。然而，在特定情况下，工艺残余应力也能发挥协助、稳定微结构成型的作用。因此，深入研究工艺残余应力的产生机制、分布规律及其对MEMS器件性能的影响，并探索有效的控制方法，对于提高MEMS器件的性能、可靠性和成品率，推动MEMS技术的进一步发展和应用具有重要的现实意义。

1.2国内外研究现状

国内外众多学者和研究机构对MEMS薄膜基片工艺残余应力展开了广泛而深入的研究，并取得了一系列有价值的成果。在残余应力的测量技术方面，已发展出多种方法。光学方法如微拉曼光谱技术和X射线衍射技术应用较为广泛。微拉曼光谱技术通过测量拉曼散射光的频移来确定残余应力，具有高空间分辨率和无损检测的优点，能够对微尺度下的残余应力进行精确测量；X射线衍射技术则依据X射线在晶体中的衍射特性来分析残余应力，可提供材料内部的应力信息。电学方法中的电阻应变片法，通过测量粘贴在试件表面的电阻应变片的电阻变化来计算应力，具有操作简便、成本较低的特点，但测量精度相对有限，且不适用于微尺度测量。力学方法如弯曲梁法，利用薄膜残余应力使梁发生弯曲的原理来测量应力，是一种较为经典的测量方法，然而其测量过程较为复杂，对试件的制备和测量条件要求较高。

在残余应力的产生机制和影响因素研究上，大量研究表明，薄膜沉积工艺中的沉积温度、压强、速率，以及热处理工艺中的加热速率、保温时间和冷却速率等，都会对残余应力的大小和分布产生显著影响。例如，采用低压化学气象沉积（LPCVD）制备氮化硅薄膜时，通过控制温度、压强、反应气体比例和反应时间等参数，保证富硅（即高DCS/NH3比），可以制备出低应力的SiNx薄膜。材料本身的机械特性，如热膨胀系数、弹性模量等，也是影响残