芯片短路失效分析注意点.pdfVIP

中国集成电路

CICChinalntegratedCircuit测试

片短路失效分析注意点

利华

，

北京中电华大电子设计有限责任公司射频识别芯片检测技术北京市重点实验室

摘要：，可以使用EMMIOBIRCH但又不能完全采

对芯片内部短路失效和测试进行定位，用常规的失

效分析方法，本文就芯片内部短路失效注意点进行详细剖析。

关键词：EMMIOBIRCH

短路失效；和；注意点

PointforAttentioninChipShortCircuitFailureAnalysis

YANGLi-hua

CECHuadaElectronicDesignCo.,Ltd.,BeijingKeyLaboratoryofRFIDChipTestTechnology

Abstract:EMMIandOBRICHtestingcanbeusedtolocateinternalshortcircuitfailuresinchips,butconventional

failureanalysismethodscannotbefullyused.Thisarticleprovidesadetailedanalysisofthekeypointsforchipshort

circuitfailureanalysis.

Keywords:shortcircuitfailure;EMMIandOBIRCH;attentionpoints

0引言失效的芯片进行加电测试会出现大电流。因此，需要

特别注意一些技术细节，才能保证既能准确定位出

芯片短路失效的失效定位，一般通过微光显微短路位置，又不至于引入新的过电应力失效或破坏

镜（EMMI，即EmissionMicroscope缩写）测试和激光测试设备。

OBIRCHOpticalBeamInduced

束激发阻抗变化（，即

ResistanceChange缩写）测试定位短路位置。进行微1造成芯片短路失效的各种情形

EMMI

光显微镜（）测试或激光束激发阻抗变化

OBIRCH，但对短路，静电

（）测试时，需要对片施加电压造成片短路失效的原因有很多种

https//2024·3·总第298期）91

中国集成电路

测试ChinalntegratedCircuitCIC

ESD

（）破坏是其中之一，静电破坏多以导模式直3芯片短路失效分析中的注意点

接破坏芯片电路。另外，高压静电释放时会对周围产

生激变电磁场，以空间耦合方式破坏芯片。（见参考常规失效分析过程中，原则上，良品和短路失效

[1]，在特定情况

文献）。还有一种静电感应破坏模式