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长鑫科技集团股份有限公司招股说明书核心摘要
【核心提示】
长鑫科技(证券简称:长鑫科技,拟上市地点:上海科创板)于2025年12月5日正式递交招股说明书,由中金公司与中信建投担任联合保荐机构。公司系国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM(垂直整合制造)企业,本次IPO计划募资200-400亿元,目标估值2000-3000亿元,预计2026年第一季度完成上市。核心数据均来自公司招股书及安徽证监局辅导验收文件,具体以证监会最终披露版本为准。
一、公司基本情况
(一)核心信息
成立时间:2016年6月
注册资本:601.93亿元(实缴资本536.33亿元)
注册地址:安徽省合肥市经济技术开发区
法定代表人/董事长:朱一明(同时担任兆易创新董事长)
核心业务:通用型DRAM存储芯片的研发、生产与销售,产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5等系列,应用于智能手机、PC、服务器、AI计算及车规级场景
行业地位:中国大陆首家实现规模化量产通用型DRAM的企业,2025年一季度全球DRAM市占率6%,预计2025年底提升至8%
(二)发展历程关键节点
2016年:公司成立,启动DRAM研发项目;
2019年:成功量产8GbDDR4内存芯片,打破韩美企业长期垄断;
2023年:推出LPDDR5系列产品,切入中高端移动设备市场;
2024年3月:完成108亿元战略融资,投前估值1399.82亿元;
2025年7月:在安徽证监局完成IPO辅导备案;
2025年10月:完成IPO辅导验收,状态更新为“辅导验收通过”;
2025年12月:正式递交招股说明书,启动科创板上市进程。
二、股权结构与股东情况
(一)前十大股东(截至2025年12月)
股东名称
持股比例
股东性质
备注
合肥清辉集电企业管理合伙企业(有限合伙)
24.3204%
国有关联方
第一大股东,实际控制人为合肥市国资委
合肥长鑫集成电路有限责任公司
12.4265%
国有法人股
第二大股东,合肥市国资委间接控股
国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司
9.80%
产业基金
国家级集成电路产业支持基金
安徽省投资集团控股有限公司
未披露
国有投资平台
地方政府产业投资主体
阿里巴巴(中国)网络技术有限公司
未披露
战略投资者
互联网巨头战略参股
湖北小米长江产业基金
未披露
战略投资者
聚焦半导体产业链投资
兆易创新
0.9527%
上市公司参股
直接持股,另有间接持股权益
其他机构投资者
合计约52%
产业基金/财务投资者
含建信金融资产投资有限公司等
(二)关联关系说明
兆易创新与公司存在深度协同:董事长朱一明交叉任职,双方签订DRAM代工协议至2030年,2025年关联交易预计达11.61亿元;
国有股权占比超40%:合肥市国资委通过直接及间接持股成为实际控制人,公司股份已界定为“国有法人股”。
三、业务与技术核心亮点
(一)核心产品与市场表现
产品系列
技术节点
应用场景
2025年市场份额预测
核心竞争力
DDR4
19nm/17nm
PC、消费电子、工业控制
全球约7%
成本优势显著,性价比高于国际品牌
DDR5
17nm
高端PC、服务器、AI计算
全球约7%(年底)
性能对标三星D1z工艺,已切入服务器供应链
LPDDR5
17nm
智能手机、车规级设备
全球约9%(年底)
适配特斯拉、比亚迪等车规级客户,稳定性达标
(二)技术研发实力
专利储备:累计申请中国专利超2000件,获发明专利及实用新型授权近800件,PCT国际专利近100件;
技术代差:与三星、SK海力士的技术差距缩短至3-4年,DDR5产品性能无明显差距,芯片面积仅大40%;
研发投入:2024年研发费用率超15%(具体金额未披露),研发团队核心成员来自奇梦达、三星等国际存储巨头;
未来布局:重点研发HBM3E(高带宽存储器)技术,适配AI服务器高端需求。
(三)产能规划
当前产能:DRAM月产能约18万片(12英寸晶圆);
募资后目标:月产能提升至30万片,其中HBM3E产能占比约10%;
产能爬坡周期:2026年完成一期扩产,2027年达产后预计年出货量增长50%。
四、募资用途(拟募集资金200-400亿元)
募资方向
投资金额(亿元)
占比
预期效益
DRAM产能扩建项目
120-240
60%
新增月产能12万片,年新增营收预计300亿元
HBM3E技术研发及产业化项目
40-80
20%
2027年实现HBM3E量产,目标
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