长鑫科技招股说明书核心摘要(2025年12月递交版).docxVIP

长鑫科技招股说明书核心摘要(2025年12月递交版).docx

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长鑫科技集团股份有限公司招股说明书核心摘要

【核心提示】

长鑫科技(证券简称:长鑫科技,拟上市地点:上海科创板)于2025年12月5日正式递交招股说明书,由中金公司与中信建投担任联合保荐机构。公司系国内唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM(垂直整合制造)企业,本次IPO计划募资200-400亿元,目标估值2000-3000亿元,预计2026年第一季度完成上市。核心数据均来自公司招股书及安徽证监局辅导验收文件,具体以证监会最终披露版本为准。

一、公司基本情况

(一)核心信息

成立时间:2016年6月

注册资本:601.93亿元(实缴资本536.33亿元)

注册地址:安徽省合肥市经济技术开发区

法定代表人/董事长:朱一明(同时担任兆易创新董事长)

核心业务:通用型DRAM存储芯片的研发、生产与销售,产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5等系列,应用于智能手机、PC、服务器、AI计算及车规级场景

行业地位:中国大陆首家实现规模化量产通用型DRAM的企业,2025年一季度全球DRAM市占率6%,预计2025年底提升至8%

(二)发展历程关键节点

2016年:公司成立,启动DRAM研发项目;

2019年:成功量产8GbDDR4内存芯片,打破韩美企业长期垄断;

2023年:推出LPDDR5系列产品,切入中高端移动设备市场;

2024年3月:完成108亿元战略融资,投前估值1399.82亿元;

2025年7月:在安徽证监局完成IPO辅导备案;

2025年10月:完成IPO辅导验收,状态更新为“辅导验收通过”;

2025年12月:正式递交招股说明书,启动科创板上市进程。

二、股权结构与股东情况

(一)前十大股东(截至2025年12月)

股东名称

持股比例

股东性质

备注

合肥清辉集电企业管理合伙企业(有限合伙)

24.3204%

国有关联方

第一大股东,实际控制人为合肥市国资委

合肥长鑫集成电路有限责任公司

12.4265%

国有法人股

第二大股东,合肥市国资委间接控股

国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司

9.80%

产业基金

国家级集成电路产业支持基金

安徽省投资集团控股有限公司

未披露

国有投资平台

地方政府产业投资主体

阿里巴巴(中国)网络技术有限公司

未披露

战略投资者

互联网巨头战略参股

湖北小米长江产业基金

未披露

战略投资者

聚焦半导体产业链投资

兆易创新

0.9527%

上市公司参股

直接持股,另有间接持股权益

其他机构投资者

合计约52%

产业基金/财务投资者

含建信金融资产投资有限公司等

(二)关联关系说明

兆易创新与公司存在深度协同:董事长朱一明交叉任职,双方签订DRAM代工协议至2030年,2025年关联交易预计达11.61亿元;

国有股权占比超40%:合肥市国资委通过直接及间接持股成为实际控制人,公司股份已界定为“国有法人股”。

三、业务与技术核心亮点

(一)核心产品与市场表现

产品系列

技术节点

应用场景

2025年市场份额预测

核心竞争力

DDR4

19nm/17nm

PC、消费电子、工业控制

全球约7%

成本优势显著,性价比高于国际品牌

DDR5

17nm

高端PC、服务器、AI计算

全球约7%(年底)

性能对标三星D1z工艺,已切入服务器供应链

LPDDR5

17nm

智能手机、车规级设备

全球约9%(年底)

适配特斯拉、比亚迪等车规级客户,稳定性达标

(二)技术研发实力

专利储备:累计申请中国专利超2000件,获发明专利及实用新型授权近800件,PCT国际专利近100件;

技术代差:与三星、SK海力士的技术差距缩短至3-4年,DDR5产品性能无明显差距,芯片面积仅大40%;

研发投入:2024年研发费用率超15%(具体金额未披露),研发团队核心成员来自奇梦达、三星等国际存储巨头;

未来布局:重点研发HBM3E(高带宽存储器)技术,适配AI服务器高端需求。

(三)产能规划

当前产能:DRAM月产能约18万片(12英寸晶圆);

募资后目标:月产能提升至30万片,其中HBM3E产能占比约10%;

产能爬坡周期:2026年完成一期扩产,2027年达产后预计年出货量增长50%。

四、募资用途(拟募集资金200-400亿元)

募资方向

投资金额(亿元)

占比

预期效益

DRAM产能扩建项目

120-240

60%

新增月产能12万片,年新增营收预计300亿元

HBM3E技术研发及产业化项目

40-80

20%

2027年实现HBM3E量产,目标

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