半导体物理基础：半导体材料特性_1.半导体的定义与分类.docxVIP

PAGE1

PAGE1

半导体的定义与分类

半导体的定义

半导体是一种在特定条件下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。在物理上，半导体的导电性可以通过施加外部条件（如温度、光照、电场等）来显著改变。这种材料在现代电子科学与技术中有着广泛的应用，例如在晶体管、集成电路、太阳能电池、发光二极管（LED）等器件中。

能带结构

半导体的导电性与其能带结构密切相关。能带结构是指电子在固体材料中的能量状态分布。对于半导体材料，其能带结构可以分为以下几个主要部分：

价带（ValenceBand）：价带是电子在原子最外层能级形成的能带，这些电子参与化学键的形成。

导带（ConductionBand）：导带是电子可以自由移动的能量状态的集合，当电子进入导带时，材料开始导电。

禁带（BandGap）：禁带是指价带和导带之间的能量差，电子需要跨越这个能量差才能从价带跃迁到导带。

载流子

在半导体中，载流子是指能够自由移动的电子和空穴。电子是带负电的粒子，而空穴是价带电子离开后留下的空位，可以看作是带正电的粒子。

电子（Electrons）：电子是半导体中的主要负电载流子，当它们从价带跃迁到导带时，可以自由移动并参与导电。

空穴（Holes）：空穴是价带中的电子离开后留下的空位，可以在价带中移动，类似于正电荷的移动。

半导体的分类

半导体可以根据其能带结构、掺杂类型和物理性质进行分类。以下是几种常见的分类方式：

1.按能带结构分类

本征半导体（IntrinsicSemiconductors）：本征半导体是没有掺杂的纯半导体材料。它们的能带结构中，导带和价带之间的禁带宽度适中，电子可以通过热激发从价带跃迁到导带。常见的本征半导体材料包括硅（Si）和锗（Ge）。

非本征半导体（ExtrinsicSemiconductors）：非本征半导体是通过掺杂（即在纯半导体材料中引入少量的其他元素）来改变其导电性能的半导体材料。掺杂可以分为以下两种类型：

n型半导体（n-typeSemiconductors）：通过掺入五价元素（如磷、砷等）来增加电子的浓度。这些五价元素在半导体中形成施主能级，可以轻易地将电子提供给导带。

p型半导体（p-typeSemiconductors）：通过掺入三价元素（如硼、铝等）来增加空穴的浓度。这些三价元素在半导体中形成受主能级，可以轻易地捕获价带中的电子，从而在价带中留下空穴。

2.按材料类型分类

元素半导体（ElementalSemiconductors）：由单一元素构成的半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge）。

化合物半导体（CompoundSemiconductors）：由两种或多种元素组成的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。这些材料通常具有更宽的禁带宽度和更高的电子迁移率，适用于高速和高频应用。

3.按物理性质分类

直接带隙半导体（DirectBandGapSemiconductors）：电子从价带跃迁到导带时，能量和动量的变化一致，适用于光电器件，如LED和太阳能电池。

间接带隙半导体（IndirectBandGapSemiconductors）：电子从价带跃迁到导带时，能量变化和动量变化不一致，适用于普通电子器件，如晶体管和集成电路。

本征半导体与非本征半导体的对比

本征半导体

本征半导体的导电性能主要由温度决定。在温度较低时，材料中的电子很少有足够能量从价带跃迁到导带，因此导电性能较差。随着温度的升高，热激发作用增强，更多的电子获得足够能量跃迁到导带，导电性能随之提高。

非本征半导体

非本征半导体的导电性能主要由掺杂浓度决定。掺杂可以显著增加材料中的载流子浓度，从而提高导电性能。例如，n型半导体中，施主能级靠近导带，电子很容易从施主能级跃迁到导带；p型半导体中，受主能级靠近价带，电子很容易从价带跃迁到受主能级，从而在价带中留下空穴。

掺杂过程

掺杂是通过在半导体材料中引入少量的掺杂剂来改变其导电性能的过程。掺杂剂的选择和浓度对半导体的性能有重要影响。

掺杂剂选择

n型掺杂剂：五价元素，如磷（P）、砷（As）、锑（Sb）等。这些元素在半导体中形成施主能级。

p型掺杂剂：三价元素，如硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）等。这些元素在半导体中形成受主能级。

掺杂浓度

掺杂浓度是指单位体积内掺杂剂的数量。通常用每立方厘米的掺杂剂原子数（cm3）来表示。掺杂浓度的范围可以从10^13cm3到10^20cm3不等。

掺杂方法

扩散法（Diffusion）：通过将掺杂剂原子在高温下扩散到半导体材料中。这种方法适用于制造大面积均匀的掺杂层。

离子注入法（IonImplantation）：通过加速器将掺杂剂离子注入到半导体材料中。这种方法可以精