半导体物理基础：载流子输运理论_（9）.扩散与漂移运动.docxVIP

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扩散与漂移运动

扩散运动

扩散运动是指载流子在浓度梯度的作用下，从高浓度区域向低浓度区域移动的现象。在半导体中，扩散运动主要由两种载流子（电子和空穴）的浓度分布不均匀引起。这种运动可以类比于气体分子的布朗运动，载流子在晶格中随机运动，但由于浓度梯度的存在，整体上表现为从高浓度区域向低浓度区域的净移动。

扩散电流

扩散电流是由于载流子的扩散运动而产生的电流。对于电子和空穴两种载流子，扩散电流可以分别表示为：

电子的扩散电流密度Jn

J

空穴的扩散电流密度Jp

J

其中：-q是电子电荷量（q=1.6×10?19C）-Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散系数-n和p

扩散系数

扩散系数D描述了载流子在浓度梯度作用下的扩散速度。它与载流子的迁移率μ和温度T有关，关系式为：

D

其中：-kB是玻尔兹曼常数（kB=1.38×10?23

扩散方程

扩散方程描述了载流子浓度随时间和空间的变化。对于电子和空穴，扩散方程可以分别表示为：

电子的扩散方程：

?

空穴的扩散方程：

?

生成/复合项包括了载流子在半导体中的产生和复合过程，对于不同类型的半导体，这些项的具体形式可能有所不同。

扩散长度

扩散长度L是描述载流子扩散距离的一个重要参数，它与扩散系数D和载流子的寿命τ有关，关系式为：

L

扩散长度越长，载流子在半导体中传播的距离就越远，这对于器件的性能有着重要的影响。

例子：一维扩散过程的数值模拟

我们可以使用Python编写一个简单的程序来模拟一维扩散过程。以下是一个示例代码：

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义参数

L=10e-6#扩散长度(米)

D=1e-4#扩散系数(m^2/s)

T=1e-6#模拟时间(秒)

dt=1e-9#时间步长(秒)

dx=1e-7#空间步长(米)

x=np.arange(0,L,dx)#空间网格

n=np.zeros_like(x)#初始电子浓度

n[0]=1e16#在x=0处设置初始高浓度

#扩散方程的数值解

defdiffuse(n,D,dt,dx):

n_new=n.copy()

foriinrange(1,len(n)-1):

n_new[i]=n[i]+D*dt/dx**2*(n[i+1]-2*n[i]+n[i-1])

returnn_new

#模拟扩散过程

fortinnp.arange(0,T,dt):

n=diffuse(n,D,dt,dx)

#绘制结果

plt.plot(x,n)

plt.xlabel(位置(米))

plt.ylabel(电子浓度(m^-3))

plt.title(一维扩散过程模拟)

plt.show()

代码解释

参数定义：

L：扩散长度，单位为米。

D：扩散系数，单位为平方米/秒。

T：模拟总时间，单位为秒。

dt：时间步长，单位为秒。

dx：空间步长，单位为米。

x：空间网格，从0到L，步长为dx。

n：初始电子浓度，设置在x=0处为1e16m^-3。

扩散方程的数值解：

diffuse函数实现了扩散方程的显式欧拉法数值解。

对于每个内部点（即除了边界点），新的浓度值n_new[i]由当前浓度值n[i]和邻近点的浓度值n[i+1]和n[i-1]计算得到。

模拟扩散过程：

使用一个循环来模拟扩散过程，每次循环更新一次浓度分布。

模拟总时间为T，每次时间步长为dt。

结果绘制：

使用Matplotlib绘制电子浓度随位置的变化曲线。

漂移运动

漂移运动是指载流子在电场作用下，沿着电场方向的定向移动。这种运动与电场强度和载流子的迁移率有关。在半导体中，漂移电流是漂移运动产生的电流。

漂移电流

漂移电流是由于载流子在电场作用下的定向移动而产生的电流。对于电子和空穴，漂移电流可以分别表示为：

电子的漂移电流密度Jn

J

空穴的漂移电流密度Jp

J

其中：-E是电场强度-μn和μp

迁移率

迁移率μ描述了载流子在单位电场强度下的漂移速度。它与载流子的类型、半导体材料的性质和温度有关。迁移率的单位是m^2/Vs。

漂移方程

漂移方程描述了载流子浓度随时间和电场的变化。对于电子和空穴，漂移方程可以分别表示为：

电子的漂移方程：

?

空穴的漂移方程：

?

例子：一维漂移过程的数值模拟

我们可以使用Python编写一个简单的程序来模拟一维漂