半导体物理基础：载流子输运理论_（4）.载流子浓度与费米能级.docxVIP

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载流子浓度与费米能级

在半导体物理中，载流子浓度和费米能级是两个非常重要的概念。它们直接关系到半导体的电导率、迁移率以及其他重要物理性质。本节将详细介绍载流子浓度和费米能级的基本原理和计算方法，并通过具体的例子和代码示例来说明这些概念的应用。

费米能级的定义

费米能级（FermiLevel）是描述半导体中电子和空穴能量分布的基准能级。在绝对零度下，费米能级以下的所有能级都被电子占据，费米能级以上的所有能级都是空的。随着温度的升高，电子会获得足够的能量跃迁到费米能级以上的能级，形成导带中的自由电子和价带中的空穴。

费米能级在半导体中的位置取决于掺杂浓度和温度。对于本征半导体，费米能级位于禁带的中心；对于掺杂半导体，费米能级会偏移，具体位置取决于掺杂类型和浓度。

载流子浓度的定义

载流子浓度（CarrierConcentration）是指半导体中自由电子和空穴的数量密度。自由电子和空穴分别是导带中的电子和价带中的空穴。载流子浓度受到温度和掺杂的影响，是描述半导体导电性质的重要参数。

在本征半导体中，自由电子浓度和空穴浓度相等，记为ni。对于掺杂半导体，自由电子浓度n和空穴浓度p

费米统计与载流子浓度的关系

费米统计（Fermi-DiracStatistics）是描述费米子（如电子）在能量态上的分布的统计规律。在半导体中，电子和空穴的浓度可以通过费米统计来计算。

电子浓度

电子浓度n可以通过以下公式计算：

n

其中：-ni是本征载流子浓度-EF是费米能级-Ei是本征费米能级-k是玻尔兹曼常数-

空穴浓度

空穴浓度p可以通过以下公式计算：

p

本征载流子浓度

本征载流子浓度ni

n

其中：-Nc是导带有效状态密度-Nv是价带有效状态密度-E

费米能级的计算

费米能级的位置可以通过载流子浓度的平衡关系来确定。对于掺杂半导体，费米能级的位置会受到掺杂浓度的影响。

本征半导体

在本征半导体中，费米能级位于禁带的中心，即：

E

掺杂半导体

对于掺杂半导体，费米能级的位置可以通过以下关系式确定：

n

p

其中：-ND是施主（n型掺杂）浓度-NA

平衡条件

在平衡条件下，电子浓度和空穴浓度满足以下关系：

n

通过这个关系，可以求解费米能级的位置。具体步骤如下：

代入电子浓度和空穴浓度的表达式。

求解费米能级EF

代码示例

本征载流子浓度的计算

假设我们有一个硅半导体，其导带有效状态密度Nc=2.8×1019?cm?3

importnumpyasnp

#常数定义

k=8.617333262145e-5#玻尔兹曼常数，单位：eV/K

N_c=2.8e19#导带有效状态密度，单位：cm^-3

N_v=1.04e19#价带有效状态密度，单位：cm^-3

E_g=1.12#禁带宽度，单位：eV

#温度范围

temperatures=np.linspace(300,500,100)#单位：K

#计算本征载流子浓度

n_i=N_c*N_v*np.exp(-E_g/(2*k*temperatures))

#输出结果

forT,niinzip(temperatures,n_i):

print(f在温度{T}K下，本征载流子浓度为{ni:.2e}cm^-3)

#绘图

importmatplotlib.pyplotasplt

plt.plot(temperatures,n_i,label=本征载流子浓度)

plt.xlabel(温度(K))

plt.ylabel(本征载流子浓度(cm^-3))

plt.title(本征载流子浓度随温度的变化)

plt.legend()

plt.show()

费米能级的计算

假设我们有一个n型掺杂的硅半导体，施主浓度ND=1×1016?

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#常数定义

k=8.617333262145e-5#玻尔兹曼常数，单位：eV/K

N_c=2.8e19#导带有效状态密度，单位：cm^-3

N_v=1.04e19#价带有效状态密度，单位：cm^-3

E_g=1.12#禁带宽度，单位：eV

N_D=1e16#施主浓度，单位：cm^-3

N_A=0#受主浓度，单位：cm^-3

#温度范围

temperatures=np.linspace(300,500,100)#单位：K

#计算本征载流子浓度

n_i