半导体物理基础：半导体能带理论_18.半导体表面与界面效应.docxVIP

PAGE1

PAGE1

18.半导体表面与界面效应

18.1表面态与界面态

表面态

半导体表面态是指在半导体表面或界面处形成的能量态，这些态通常位于禁带中。表面态的形成主要是由于表面原子的配位不完整和表面缺陷导致的。表面态对半导体器件的性能有着重要影响，比如表面态可以捕获或释放载流子，从而影响半导体的电学特性。

表面态的形成机制

配位不完整：在半导体表面，由于表面原子的配位数减少，导致这些原子的价带电子无法完全形成共价键，从而在禁带中形成表面态。

表面缺陷：表面缺陷如悬键、杂质原子、晶格畸变等也会在禁带中形成表面态。

表面重构：表面Reconstruction通过改变表面原子的排列，可以部分消除表面态，但通常仍会有部分表面态存在。

表面态的能级位置

表面态的能级位置：表面态的能级位置通常位于禁带中，但具体位置取决于表面的性质和缺陷类型。表面态的能级位置可以通过实验方法如扫描隧道显微镜（STM）和光电子能谱（XPS）来确定。

表面态的影响

载流子寿命：表面态可以捕获载流子，从而缩短载流子的寿命。

表面电导：表面态可以形成表面电导层，影响半导体的表面电学特性。

表面势垒：表面态可以形成表面势垒，影响载流子的迁移率和表面的电势分布。

界面态

界面态是指在两种不同材料界面处形成的能量态。在半导体器件中，界面态通常出现在半导体与绝缘层、金属层或另一半导体材料的界面上。界面态对器件的性能也有着重要影响，比如界面态可以导致器件的漏电流增加，影响器件的可靠性和稳定性。

界面态的形成机制

化学键不连续：在两种材料的界面处，化学键的不连续会导致界面态的形成。

晶格不匹配：不同材料的晶格常数不匹配也会在界面处产生界面态。

界面缺陷：界面处的缺陷如杂质原子、晶格畸变等也会形成界面态。

界面态的能级位置

界面态的能级位置：界面态的能级位置通常位于禁带中，但具体位置取决于界面的性质和缺陷类型。界面态的能级位置也可以通过实验方法来确定。

界面态的影响

载流子捕获与释放：界面态可以捕获或释放载流子，影响器件的电流-电压特性。

界面电导：界面态可以形成界面电导层，影响器件的电学性能。

界面势垒：界面态可以形成界面势垒，影响载流子的迁移率和界面的电势分布。

18.2表面与界面态的测量方法

扫描隧道显微镜（STM）

扫描隧道显微镜（STM）是一种可以探测半导体表面态的高分辨率显微镜。STM通过在样品和探针之间施加电压，产生隧道电流，从而实现对表面态的探测。

STM的工作原理

隧道效应：当探针和样品之间的距离非常接近时（通常为几纳米），电子可以通过隧道效应从样品跃迁到探针。

恒流模式：在恒流模式下，通过保持隧道电流恒定，可以调节探针的高度，从而获得表面的形貌信息。

恒高模式：在恒高模式下，通过测量隧道电流的变化，可以获得表面的电势分布信息。

STM的应用

表面形貌成像：STM可以用于高分辨率的表面形貌成像。

表面态成像：STM可以用于探测和成像表面态的分布。

表面电势测量：STM可以用于测量表面的电势分布。

光电子能谱（XPS）

光电子能谱（XPS）是一种可以测量半导体表面态和界面态的实验技术。XPS通过测量光电子的能量分布，来确定表面和界面处的能量态。

XPS的工作原理

光电效应：当光子照射到样品表面时，可以激发表面电子，使其脱离样品。

能量分析：通过分析这些光电子的能量分布，可以确定表面和界面处的能量态。

XPS的应用

表面化学成分分析：XPS可以用于分析表面的化学成分。

表面态能级测量：XPS可以用于测量表面态的能级位置。

界面态能级测量：XPS可以用于测量界面态的能级位置。

其他测量方法

电子顺磁共振（EPR）：EPR可以用于探测半导体中的未成对电子，从而间接测量表面态和界面态。

原子力显微镜（AFM）：AFM可以用于测量表面的形貌和机械特性，但通常不直接用于测量表面态和界面态。

低能电子衍射（LEED）：LEED可以用于测量表面的晶体结构，从而间接推断表面态和界面态的存在。

18.3表面与界面态的理论模型

表面态的理论模型

简化的表面态模型

无限深势阱模型：假设表面处的势垒为无限深，可以简化表面态的计算。

有限深势阱模型：假设表面处的势垒为有限深，更接近实际情况，但计算复杂度增加。

表面态的计算方法

第一性原理计算：使用密度泛函理论（DFT）等方法，从原子尺度上计算表面态的能级位置和密度。

紧束缚模型：通过假设原子轨道的线性组合，计算表面态的能级位置。

界面态的理论模型

简化的界面态模型

一维势阱模型：假设界面处的势垒为一维势阱，可以简化界面态的计算。

二维势阱模型：假设界面处的势垒为二维势阱，更接近实际情况，但计算复杂度增加。

界面态的计算方法

第一性原理计算：使用密度泛函理论（DFT）等方法，从