半导体物理基础：半导体器件仿真基础_（7）.MOS器件物理.docxVIP

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MOS器件物理

1.MOS器件的基本结构

1.1金属-氧化物-半导体(MOS)结构

金属-氧化物-半导体(MOS)结构是现代半导体器件中最基本的结构之一。它由三层材料组成：金属（Gate）、氧化物（Oxide）和半导体（Substrate）。MOS结构的主要应用是在场效应晶体管（Field-EffectTransistor,FET）中，尤其是MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）。

1.1.1金属层(Gate)

金属层是MOS结构中的顶电极，用于施加栅极电压。常见的金属材料包括铝、钨、多晶硅（在实际应用中，多晶硅有时也被视为金属层）等。金属材料的选择需要考虑其导电性能、与氧化物的界面特性以及工艺兼容性。

1.1.2氧化物层(Oxide)

氧化物层是MOS结构中的绝缘层，通常为二氧化硅（SiO2）。氧化物层的作用是隔离金属栅极和半导体衬底，防止电流直接通过。氧化物的厚度和质量对器件的性能有重要影响，例如厚度决定了栅极电容的大小，质量决定了界面态的密度。

1.1.3半导体层(Substrate)

半导体层是MOS结构的基底，通常为硅（Si）。半导体层可以分为n型和p型，这取决于掺杂类型。在MOSFET中，半导体层包含源区（Source）、漏区（Drain）和沟道区（Channel）。源区和漏区通常具有高掺杂浓度，而沟道区的掺杂浓度较低。

1.2MOS器件的工作原理

MOS器件的工作原理基于电场对半导体材料的控制。当在金属栅极上施加电压时，电场会穿透氧化物层，影响半导体层中的载流子分布，从而改变器件的导电特性。

1.2.1平带状态(FlatbandCondition)

在平带状态下，栅极电压等于平带电压（Vfb），此时氧化物层中的电场为零，半导体表面的能带弯曲也为零。平带电压可以通过以下公式计算：

V

其中：-?m是金属的功函数。-?s是半导体的功函数。-Qf是固定电荷。-

1.2.2积累状态(AccumulationCondition)

当栅极电压大于平带电压时，半导体表面的能带向下弯曲，吸引同类型的多数载流子到表面，形成积累状态。例如，在n型半导体中，当栅极电压大于平带电压时，电子会被吸引到半导体表面。

1.2.3耗尽状态(DepletionCondition)

当栅极电压小于平带电压时，半导体表面的能带向上弯曲，排斥同类型的多数载流子，形成耗尽状态。例如，在n型半导体中，当栅极电压小于平带电压时，电子会被排斥，表面形成一个耗尽层。

1.2.4反型状态(InversionCondition)

当栅极电压进一步减小，达到阈值电压（Vth）以下时，半导体表面的能带弯曲程度增加，排斥多数载流子的同时吸引少数载流子，形成反型层。例如，在n型半导体中，当栅极电压小于阈值电压时，表面会形成p型反型层。

1.3MOSFET的基本结构

MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）是MOS结构的一种重要应用。MOSFET的基本结构包括栅极（Gate）、源极（Source）、漏极（Drain）和衬底（Substrate）。

1.3.1nMOSFET

nMOSFET的工作原理如下：1.截止状态：当栅极电压小于阈值电压时，沟道区处于耗尽状态或反型状态，没有导电沟道形成，源极和漏极之间没有电流。2.导通状态：当栅极电压大于阈值电压时，沟道区形成反型层，电子从源极流向漏极，形成电流。

1.3.2pMOSFET

pMOSFET的工作原理与nMOSFET相反：1.截止状态：当栅极电压大于阈值电压时，沟道区处于耗尽状态或反型状态，没有导电沟道形成，源极和漏极之间没有电流。2.导通状态：当栅极电压小于阈值电压时，沟道区形成反型层，空穴从源极流向漏极，形成电流。

2.MOSFET的工作模式

2.1截止模式(Cut-offMode)

在截止模式下，栅极电压小于阈值电压，沟道区没有形成导电通道，源极和漏极之间的电流为零。此时器件处于高阻状态。

2.2线性模式(LinearMode)

在线性模式下，栅极电压大于阈值电压，但漏极电压小于栅极电压减去阈值电压。沟道区形成一个连续的导电通道，源极和漏极之间的电流与沟道区的长度成线性关系。线性模式下的MOSFET可以用于放大器和开关电路。

2.3饱和模式(SaturationMode)

在饱和模式下，栅极电压大于阈值电压，且漏极电压大于栅极电压减去阈值电压。沟道区形成一个连续的导电通道，但由于电场的作用，沟道区在靠近漏极的一端形成夹断效应，