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模拟电子技术基础考研重点总结

一、半导体器件基础

半导体器件是模拟电子技术的基石，对其工作原理和特性的深刻理解是学好后续内容的关键。

1.二极管

*工作原理：基于PN结的单向导电性。重点理解PN结的形成（多子扩散、少子漂移）、内建电场与势垒。

*伏安特性：掌握理想二极管模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型的特点及适用场景。正向导通特性、反向截止特性、反向击穿特性（齐纳击穿与雪崩击穿的区别与特点）。

*主要参数：最大整流电流、反向工作峰值电压、反向峰值电流、结电容等。

*典型应用：整流（半波、全波、桥式）、限幅、箝位、开关、稳压（稳压二极管的特性与应用电路）、发光与光电转换。

2.双极型晶体管（BJT）

*结构与类型：NPN型和PNP型，三个电极（发射极e、基极b、集电极c），两个PN结（发射结JE、集电结JC）。

*工作原理：重点理解载流子在三个区域的传输过程（发射区注入、基区输运与复合、集电区收集），实现电流控制作用。

*特性曲线：输入特性曲线（IB与UBE的关系）、输出特性曲线（IC与UCE的关系，划分三个工作区：截止区、放大区、饱和区）。掌握各工作区的外部偏置条件和内部载流子运动特点。

*主要参数：电流放大系数（β、α）、极间反向电流（ICBO、ICEO）、极限参数（ICM、U(BR)CEO、PCM）、频率参数（fT、fβ）。

*温度特性：β、UBE、ICBO随温度变化的规律及其对电路性能的影响。

3.场效应管（MOSFET）

*结构与类型：重点掌握绝缘栅型场效应管（MOSFET），分为N沟道和P沟道，增强型和耗尽型。理解栅极、源极、漏极、衬底的作用。

*工作原理：利用栅源电压控制导电沟道的形成与宽窄，从而控制漏极电流，实现电压控制作用。理解增强型和耗尽型MOS管沟道形成的条件。

*特性曲线：输出特性曲线（ID与UDS的关系，划分可变电阻区、恒流区/饱和区、截止区）、转移特性曲线（ID与UGS的关系）。

*主要参数：开启电压（UGS(th)）或夹断电压（UGS(off)）、饱和漏极电流IDSS、跨导gm、输出电阻rds、栅源击穿电压U(BR)GS、漏源击穿电压U(BR)DS。

*BJT与MOSFET的比较：导电载流子（双极型vs单极型）、控制方式（电流控制vs电压控制）、输入电阻（低vs高）、噪声、温度特性、功耗、集成度等。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，要求掌握各种基本组态放大电路的分析方法和性能特点。

1.放大电路的基本概念与性能指标

*放大的本质：能量的控制与转换，用小能量信号控制大能量电源提供的能量。

*主要性能指标：

*放大倍数（电压放大倍数Av、电流放大倍数Ai、互阻放大倍数Ar、互导放大倍数Ag）。

*输入电阻Ri：衡量放大电路从信号源索取电流的能力。

*输出电阻Ro：衡量放大电路带负载能力。

*频率响应：通频带fBW、上限截止频率fH、下限截止频率fL。

*非线性失真：谐波失真、交越失真等。

*最大输出功率Pom和效率η（针对功率放大电路）。

2.基本放大电路的组成原则与分析方法

*组成原则：保证晶体管工作在放大区（BJT：发射结正偏，集电结反偏；MOSFET：满足相应沟道形成条件且工作在恒流区），信号能有效地输入、放大和输出。

*分析方法：

*静态分析：求解静态工作点Q（IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ或IDQ、UGSQ、UDSQ）。方法有：估算法、图解法。

*动态分析：求解电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。方法有：图解法（分析非线性失真和最大输出幅度）、微变等效电路法（关键是正确画出放大电路的微变等效模型）。

3.BJT基本放大电路组态

*共发射极放大电路：输入回路和输出回路的公共端为发射极。特点：电压、电流放大倍数均较大，输入电阻适中，输出电阻较大，适用于多级放大电路的中间级。

*共集电极放大电路（射极跟随器）：输入回路和输出回路的公共端为集电极。特点：电压放大倍数约等于1（小于1但接近1），电流放大倍数较大，输入电阻高，输出电阻低，带负载能力强，常用于输入级、输出级或缓冲级。

*共基极放大电路：输入回路和输出回路的公共端为基极。特点：电压放大倍数较大，电流放大倍数约等于1（小于1但接近1），输入电阻低，输出电阻较大，高频特性好，常用于高频放大或宽频带放大电路。

*三种组态的比较与判断：根据输入信号接入电极和输出信号取出电极判断。

4.MOSFET基本放大电路组态

*共源极放大电路：类似共射极电路，具有电压放大作用，输入电阻高。

*共漏极放大电路（源极跟随器）：类似共集电