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磁控溅射实验讲义

一、磁控溅射原理

磁控溅射是固体薄膜的重要技术之一，已被广泛地应用于科学研究和

工业生产中。磁控溅射的原理是，电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与

氩原子发生碰撞，电离出氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的加速作

用下轰击靶材，溅靶材原子或分子，呈中性的靶原子或分子沉积在基片上形

成薄膜。电子在加速飞向基片的过程中受到靶表面附近磁场洛仑磁力的影响，被

在靠近靶面的区域内做螺旋，导致的碰撞产生的电离，使得该

区域内等离子体密度很高。在过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量

的氩离子轰击靶材。磁控溅射就是以磁场和延长电子的路径，改变

电子的方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的

归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真

空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用（EXBdrift）使单个

电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周。至于靶面圆周型的溅

射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成

膜有很大关系。在EXBshift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，

离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大

小而已。

磁控溅射的基本原理是利用Ar一02混合气体中的等离子体在电场和

交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材

表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。

磁控溅射的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现

大面积镀膜。该技术可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法。

磁控溅射(ron-sputtering)是70年代迅速发展起来的一种“高速

低温溅射技术”。磁控溅射是在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当

溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向

阳极，而是在正交电磁场作用来回振荡的近似摆线的。高能电子不

断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能

电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，

避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二极溅射中极板被轰击加热和被

电子辐照引起损伤的根源，体现磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外

加磁场的存在，电子的复杂增加了电离率，实现了高速溅射。磁控溅

射的技术特点是要在阴极靶面附件产生与电场方向垂直的磁场，一般采用

永久磁铁实现。

如果靶材是磁性材料，磁力线被靶材，磁力线难以靶材在靶

材表面上方形成磁场，磁控的作用将大大降低。因此，溅射磁性材料时，

一方面要求磁控靶的磁场要强一些，另一方面靶材也要的薄一些，以

便磁力线能穿过靶材，在靶面上方产生磁控作用。

磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频

溅射两种。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电

压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。但是

直流溅射一般只能用于金属靶材，因为如果是绝缘体靶材，则由于阳粒子

在靶表面积累，造成所谓的“靶”，溅射率越来越低。

二、磁控溅射镀膜实验步骤：

1、准备基片：

（1）将基片切成所需的尺寸。

要点：需要掌握正确的切割样品的技巧，特别是切割单晶硅片。

（2）将基片进行。

要点：需要掌握样品正确地程序。

2、放置基片：

（1）开真空室

注意：开真空室前，必须确保真空室已完全放气，处于大气压状态，以免

损坏装置。

在上盖提升时必须进行确认。

（2）放置基片

要点：将样品编号按照程序编好，并做好记录，以免发生错误。

3、抽真空

要点：抽真空应按正确地阀门开闭顺序，并理解其中的含义。

4、进行溅射镀膜