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2025年（半导体材料）材料性能试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.半导体材料的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

答案：A

2.以下哪种材料不属于半导体材料（）。

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

答案：C

3.半导体材料的电阻率随温度升高而（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：B

4.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.杂质浓度C.光照D.电场强度

答案：B

5.P型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

答案：B

6.N型半导体中，少数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

答案：B

7.当半导体受到光照时，其导电性能会（）。

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

答案：A

8.半导体的光电效应包括（）。

A.光生伏特效应和光电导效应B.热电效应和光电导效应C.光生伏特效应和热电效应D.以上都不对

答案：A

9.以下哪种器件利用了半导体的光电效应（）。

A.二极管B.三极管C.光电探测器D.电阻器

答案：C

10.半导体材料的禁带宽度与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.材料种类D.以上都是

答案：D

11.随着温度升高，半导体的本征载流子浓度（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：A

12.杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.光照D.以上都是

答案：A

13.半导体的击穿现象包括（）。

A.电击穿和热击穿B.光击穿和热击穿C.电击穿和光击穿D.以上都不对

答案：A

14.当半导体承受反向电压时，其电流（）。

A.很大B.很小C.不变D.先大后小

答案：B

15.二极管的伏安特性曲线具有（）。

A.单向导电性B.双向导电性C.线性关系D.以上都不对

答案：A

16.三极管工作在放大区时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

答案：B

17.以下哪种半导体器件可用于放大电信号（）。

A.二极管B.三极管C.晶闸管D.场效应管

答案：B

18.场效应管的特点包括（）。

A.输入电阻高，噪声低B.输入电阻低，噪声高C.输入电阻高，噪声高D.输入电阻低，噪声低

答案：A

19.半导体存储器中，随机存取存储器是（）。

A.RAMB.ROMC.EPROMD.EEPROM

答案：A

20.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路（）。

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

答案：A

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

一、填空题（每题2分，共10分）

1.半导体材料的两种载流子是（）和（）。

答案：电子、空穴

2.半导体的导电性能主要取决于（）和（）。

答案：载流子浓度、迁移率

3.P型半导体是在本征半导体中掺入（）价杂质元素形成的，N型半导体是在本征半导体中掺入（）价杂质元素形成的。

答案：三、五

4.半导体的光电效应分为（）效应和（）效应。

答案：光生伏特、光电导

5.半导体器件包括（）、（）、（）等。

答案：二极管、三极管、场效应管（答案不唯一）

二、判断题（每题2分，共10分）

1.半导体材料的电阻率比导体大，比绝缘体小。（）

答案：√

2.杂质半导体中，多数载流子和少数载流子的浓度相等。（）

答案：×

3.半导体的光电效应只与光照强度有关与温度无关。（）

答案：×

4.二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止，具有单向导电性。（）

答案：√

5.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都处于正偏。（）

答案：√

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体材料的主要特性。

u答：半导体材料具有独特的导电特性，其导电性能介于导体和绝缘体之间。电阻率随温度升高而减小，具有热敏性；受光照等因素影响导电性能变化，具有光敏性；掺入杂质可显著改变导电性能，具有掺杂特性。此外，还具有光电效应等特殊性质。