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晶闸管的选择以及触发电路、保护电路的设计案例

1.1晶闸管的选择

1.1.1晶闸管的结构特性及原理

晶闸管是一种四层结构(PNPN)的大功率半导体器件，它同时又被称作可控整流器或可控

硅元件。它有三个引出电极，即阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。其内部结构示意图如下图2-1

所示。

（a）内部结构示意图

图2-1

普通晶闸管是在N型硅片中双向扩散P型杂质（铝或硼），形成PNP2结构，然后在P,的大

部分区域扩散N型杂质（磷或锐）形成阴极，同时在P,上引出门极，在P区域形成欧姆接触作

为阳极。将内部是四层PNPN结构的晶闸管看成是由一一个PNP型和一个NPN型晶体管连

接而成的等效电，连接形式如下图2-2所示。

1a_

a

o

+

|/c2

g

o—

+

Zg

(b)分解两个晶体管(c)等效电

图2-2

晶闸管的阳极a与PNP晶体管VI的发射极相似，阴极K与NPN晶体管v2的发射极相

似。正电压时，晶闸管的阳极和控制电极也熊正电压,晶体管V2是正偏差，如生成的控制电极

电流IG是基极电流IB2,V2的集电极电流IC22*IG。其中IC2为晶体管VI的基电流

IB1,晶体管VI的集电极电流IC1=p1*IC2=#1*/32*IG(/31,分别为VI和V2

的电流放大因子)。当前的IC1流入V2的基底，并被再次放大。这样，一个强的正反馈就形

成了，这使得两个晶体管迅速地打开。这是可控硅的开启过程。导通后晶闸管上的电压降非

常小，几乎所有的电源电压都加到负载上，流过晶闸管的电流就是负载电流。正反馈过程如

下

IGf—IB2f—Ic2(IB1)f—Icf—IB2f

晶闸管接通后，晶闸管自身的正反馈保持其接通状态。此时，IB2=IC1+IG,IC1IGO

即使控制极电流消失，IG=0,IB2仍然足够大，晶闸管仍然处于通态。因此，控制极点的作

用仅仅是触发晶闸管并接通它。晶闸管接通后，控制极将失去控制功能。为了关断晶闸管,

最根本的方法是将阳极电流降低到不能保持正反馈的程度，即将晶闸管的阳极电流降低到小

于维持电流的程度。可采用以下方法:断开阳极电源;改变晶闸管的阳极电压方向，即在阳极

和阴极上施加反向电压。晶闸管的特点是:晶闸管电由两部分组成，一是阳极阴极电，

二是门极阴极控制电;阳极和阴极之间具有可控的单向电导率;门只能触发，但不能控制关

闭;晶闸管的开、关相当于开关的功能，也称为无触点开关。

1.1.2晶闸管的伏安特性

晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性曲线是指晶闸管阳极电流IA、阳极与阴极之间电

压UAK及控制电流Ic之间的关系，如下图2-3所示。

图2-3

图中各物理量的含义如下:

UDRM、URRM-正、反向断态重复峰值电压;UDSM、URSM--正、反向断态不重复峰

值电压;UBO--正向转折电压;URO--反