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光电子离子溅射工艺考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.离子溅射工艺中，以下哪种离子源更适合用于绝缘靶材的溅射？

A.直流离子源

B.射频离子源

C.磁控离子源

D.霍尔离子源

2.溅射产额的定义是：

A.单位时间内靶材被溅射的原子数

B.每个入射离子溅射出的靶材原子数

C.溅射过程中离子的平均能量

D.靶材表面被溅射的深度与时间的比值

3.磁控溅射相比普通二极溅射，其主要优势是：

A.降低工作气压

B.提高沉积速率

C.减少基片温度

D.以上均是

4.溅射工艺中，工作气压过高时，最可能出现的问题是：

A.等离子体不稳定

B.薄膜致密度下降

C.靶材溅射速率显著提高

D.基片温度过高

5.制备光学薄膜时，通常优先选择的靶材类型是：

A.金属靶

B.合金靶

C.陶瓷靶

D.复合材料靶

6.离子溅射过程中，靶材与基片的间距对薄膜质量的影响主要体现在：

A.间距过近会导致基片温度过高

B.间距过远会降低沉积速率

C.间距影响粒子到达基片的能量分布

D.以上均是

7.以下哪种现象属于“靶中毒”的典型表现？

A.溅射电压突然升高

B.沉积速率显著增加

C.靶材表面出现金属光泽

D.等离子体颜色变浅

8.为提高溅射薄膜的结晶性，最有效的工艺调整是：

A.降低溅射功率

B.提高基片温度

C.增加工作气压

D.减小靶基间距

9.离子溅射设备中，射频匹配网络的主要作用是：

A.稳定等离子体放电

B.提高离子能量

C.匹配射频电源与负载阻抗

D.降低设备能耗

10.溅射工艺中，通入反应气体（如O?、N?）的主要目的是：

A.提高等离子体密度

B.制备化合物薄膜

C.降低溅射阈值

D.减少靶材损耗

二、填空题（每空1分，共20分）

1.离子溅射的核心过程包括：离子产生、________、________、薄膜生长。

2.磁控溅射通过在靶材背后设置________，使电子在靶面附近做________运动，从而提高等离子体密度。

3.溅射产额随入射离子能量的变化规律是：在阈值能量以下为0，随能量升高先________，达到峰值后________。

4.典型的溅射工艺工作气压范围为________Pa，过高的气压会导致________效应增强，降低粒子到达基片的能量。

5.制备透明导电氧化物（TCO）薄膜时，常用的靶材是________，反应气体为________。

6.溅射过程中，基片偏压的作用是________和________，通常施加的偏压范围为________V。

7.靶材的利用率通常定义为________与________的比值，磁控溅射靶材的典型利用率约为________。

8.等离子体放电模式从“金属模式”向“氧化模式”转变时，溅射速率会________，这种现象称为________。

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述离子溅射工艺中“辉光放电”与“弧光放电”的区别及危害。

2.分析溅射功率对薄膜质量的影响（从沉积速率、致密度、内应力三方面展开）。

3.说明反应溅射中“靶中毒”的形成机制及常用解决方法。

4.对比直流溅射与射频溅射的适用场景及工艺特点。

5.列举影响溅射薄膜均匀性的主要因素，并提出3种优化措施。

四、计算题（每题10分，共20分）

1.已知某金属靶材的溅射产额S=3原子/离子，离子电流密度j=5mA/cm2，靶材原子量M=63.5g/mol，原子密度n=8.5×1022原子/cm3。计算该条件下的溅射速率（单位：nm/min，e=1.6×10?1?C）。

2.需在50mm×50mm的基片上沉积厚度为500nm的TiO?薄膜，采用反应溅射工艺，已知沉积速率为0.5nm/s，靶材对基片的覆盖因子为0.8（即实际沉积面积为基片面积的80%）。计算所需的沉积时间（单位：分钟）。

五、综合分析题（每题10分，共20分）

1.某实验室采用磁控溅射制备SiO?薄膜，出现以下问题：①沉积速率远低于理论值；②薄膜表面存在大量颗粒缺陷；③薄膜与基片结合力差。请分析可能的原因，并提出对应的解决措施。

2.设计一个正交实验方案，研究溅射功率（P1、P2、P3）、工作气压（p1、p2、p3）、基片温度（T1、T2、T3）对AZO（铝掺杂氧化锌）薄膜方阻的影响。要求明确实验因素、水平、评价指标及数据处理方法。