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2026工艺整合秋招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种工艺常用于去除晶圆表面氧化层？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.光刻工艺中，关键尺寸（CD）的控制精度通常在：

A.毫米级

B.微米级

C.纳米级

D.皮米级

3.化学机械抛光（CMP）主要用于：

A.表面平坦化

B.掺杂

C.光刻对准

D.刻蚀

4.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氩气

D.氯气

5.离子注入工艺的主要目的是：

A.改变材料的电学性能

B.增加材料的硬度

C.提高材料的耐腐蚀性

D.改善材料的光学性能

6.半导体制造中，常用的衬底材料是：

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.铜

7.薄膜沉积工艺中，物理气相沉积（PVD）不包括：

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.分子束外延

8.光刻工艺中，光刻胶的作用是：

A.保护晶圆表面

B.形成图形

C.提高晶圆的导电性

D.降低晶圆的粗糙度

9.刻蚀工艺中，各向异性刻蚀的特点是：

A.刻蚀速率在各个方向相同

B.刻蚀速率在垂直方向大于水平方向

C.刻蚀速率在水平方向大于垂直方向

D.只在垂直方向刻蚀

10.以下哪种工艺不属于后段工艺？

A.金属互连

B.钝化层沉积

C.光刻

D.测试

多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中需要考虑的因素有：

A.工艺兼容性

B.成本

C.生产效率

D.产品性能

2.光刻工艺的主要步骤包括：

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.化学气相沉积（CVD）的优点有：

A.沉积速率高

B.膜层质量好

C.可精确控制膜层厚度

D.可在低温下进行

4.离子注入工艺的缺点有：

A.设备成本高

B.对晶圆有损伤

C.掺杂浓度不均匀

D.工艺复杂

5.半导体制造中的清洗工艺主要用于：

A.去除表面污染物

B.去除氧化层

C.改善表面平整度

D.提高晶圆的导电性

6.以下哪些工艺会影响器件的电学性能？

A.掺杂

B.刻蚀

C.薄膜沉积

D.光刻

7.工艺整合中，优化工艺顺序的目的是：

A.提高生产效率

B.降低成本

C.减少工艺间的相互影响

D.提高产品质量

8.光刻工艺中，影响关键尺寸（CD）的因素有：

A.光刻胶的性能

B.曝光剂量

C.显影时间

D.光刻设备的精度

9.化学机械抛光（CMP）工艺中，影响抛光效果的因素有：

A.抛光压力

B.抛光速度

C.抛光液的成分

D.晶圆的材料

10.后段工艺中，金属互连的作用是：

A.实现器件之间的电气连接

B.提高器件的散热性能

C.保护器件免受外界环境的影响

D.降低器件的功耗

判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合的目标是将各个单元工艺有机结合，实现产品的高性能和低成本。（）

2.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一，决定了器件的最小尺寸。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能沉积金属薄膜。（）

4.离子注入工艺可以精确控制掺杂的位置和浓度。（）

5.清洗工艺只需要在晶圆制造的初期进行。（）

6.刻蚀工艺中，各向同性刻蚀适用于制作高深宽比的结构。（）

7.薄膜沉积工艺中，物理气相沉积（PVD）的沉积速率通常比化学气相沉积（CVD）快。（）

8.光刻工艺中，光刻胶的分辨率越高，可实现的关键尺寸越小。（）

9.化学机械抛光（CMP）工艺可以同时实现表面平坦化和材料去除。（）

10.后段工艺中的钝化层主要用于提高器件的导电性。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述工艺整合的主要内容。

工艺整合主要将各单元工艺结合，考虑工艺兼容性、成本、效率、性能等因素。合理安排工艺顺序，优化参数，确保各工艺相互配合，实现产品高质量、低成本生产。

2.光刻工艺中，光刻胶的选择需要考虑哪些因素？

要考虑分辨率，高分辨率可实现小关键尺寸；灵敏度，影响曝光时间和效率；粘附性，保证光刻胶与晶圆良好结合；抗蚀性，能抵抗后续刻蚀等工艺影响。

3.离子注入工艺对晶圆有哪些影响？

会造成晶格损伤，影响晶圆晶体结构；引入杂质改变电学性能；还可能使晶圆表面产生应力，影响平整度和后续工艺。需作退火等处理修复损伤。

4.化学机械抛光（CMP）工艺的原理是什么？

通过化学作用和机械作用共同实现材料去除与表面平坦化。抛光液中的化学物质与晶圆表面材料反应，生成易去除的产物，再由抛光垫的机械摩擦去除，达到平坦化目的。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论工艺整合在半导体制造中的重要性。

工艺整合能将各单元工艺有机结合