7.3 特殊二极管 (课件）-高二《汽车电工电子基础》同步教学（武汉大学出版社）.pptxVIP

1.结构稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在结的反向击穿状态。2.伏安特性曲线3.主要参数稳定电压当(2)稳定电流(3)最大耗散功率和最大稳定电流(4)动态电阻7.3.1稳压二极管7.3特殊二极管第7章常用半导体器件

发光二极管是一种将电能直接转换成光能的光发射器件，简称LED。它是由镓、砷、磷等元素的化合物制成。这些材料构成的加上正向电压时，就会发出光来，光的颜色取决于制造所用的材料。发光二极管的伏安特性和普通二极管相似，死区电压为0.9～1V，其正向工作电压为1.5～2.5,工作电流为5mA～10mA。反向击穿电压较低，一般小于10V。发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，广泛用于信号指示等电路中。7.3.2发光二极管第7章常用半导体器件7.3特殊二极管

光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，它的反向电流随光照强度的增加而线性增加，这时光电二极管等效于一个恒流源。当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于物体检测、光电控制、自动报警等方面。大面积的光电二极管可作为一种绿色能源，称为光电池。7.3.3光电二极管第7章常用半导体器件7.3特殊二极管

7.4半导体三极管第7章常用半导体器件半导体三极管又叫晶体三极管或双极型晶体管，简称晶体管或三极管。晶体管种类繁多，按所用材料可以分为硅管和锗管；按结构可以分为管和管；按使用的频率可以分为高频管和低频管；按管子功耗可以分为小功率管、中功率管和大功率管。

三个半导体区为发射区、基区和集电区。三个电极，分别称为发射极、基极、集电极。发射区和基区之间的结称为发射结，集电区和基区的结称为集电结。符号中的箭头方向表示发射结正偏时的实际电流方向。三极管的制造工艺特点是：(1)发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；(2)基区制作的很薄，掺杂浓度低；(3)集电结面积大于发射结面积。7.4.1半导体三极管的结构和电路符号第7章常用半导体器件7.4半导体三极管

7.4.2三极管的放大原理第7章常用半导体器件三极管在电子线路中用作放大器件时，发射结外加正向电压，集电结外加反向电压，即发射结正偏，集电结反偏。1.三极管内部载流子的运动(1)发射区向基区注入电子(2)电子在基区的扩散和复合(3)集电区收集电子2.三极管的电流分配和放大作用三极管三个极的电流符合基尔霍夫定律：(2)静态(直流)电流放大倍数(3)动态(交流)电流放大倍数7.4半导体三极管

3.三极管的特性曲线(1)输入特性曲线(2)输出特性曲线7.4.2三极管的放大原理第7章常用半导体器件1)截止区2)放大区3)饱和区7.4半导体三极管

4.三极管的主要参数(1)电流放大系数(2)极间反向电流(3)极限参数7.4.2三极管的放大原理第7章常用半导体器件7.4半导体三极管

7.5晶闸管第7章常用半导体器件晶闸管是晶体闸流管的简称。又称可控硅。它是一种大功率开关型半导体器件。一种四层三端器件。由于它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面，所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。晶闸管能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相应降低，此时，标称电流应降级使用。晶闸管的优点很多，例如，以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪声；效率高，成本低；等等。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管的弱点是静态及动态的过载能力较差容，易受干扰而误导通。

7.5.1晶闸管的结构第7章常用半导体器件7.5晶闸管

7.5.2晶闸管的外形第7章常用半导体器件7.5晶闸管

晶闸管的工作条件：(1)晶闸管承受反向阳极电压时，不管控制极承受何种电压