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配方半导体芯片切割液
原料配比
原料
配比（质量份）
清洁剂
壬基酚聚氧乙烯醚TX-10
7
润湿剂
聚乙二醇PEG400
12
润滑剂
泊洛沙姆407
30
渗透剂
仲辛醇聚氧乙烯醚JFC-2
3
螯合剂
醇醚羧酸
1.5
粉末沉降剂
非离子聚丙烯酰胺
1
防锈剂
苯骈三氮唑
2
消泡剂
硅聚醚消泡剂
3
去离子水
40.5
制备方法将清洁剂、加润湿剂、润滑剂、渗透剂、金属离子螯合剂、粉末沉降剂、防锈剂和去离子水按重量份加入反应釜中，然后升温至40～50℃后，搅拌40～60min后，最后加入消泡剂，继续搅拌3～8min，得到半导体芯片切割液。
原料配伍
所述清洁剂为非离子表面活性剂。
所述清洁剂为壬基酚聚氧乙烯醚，所述壬基酚聚氧乙烯醚为10个C的壬基酚聚氧乙烯醚，即TX-10。
所述润湿剂为聚乙二醇，所述聚乙二醇为平均分子量为400左右的聚乙二醇，即PEG400。
所述润滑剂为泊洛沙姆407。
所述渗透剂为仲辛醇聚氧乙烯醚，俗名为JFC-2。
所述螯合剂为醇醚羧酸。
所述粉末沉降剂为非离子聚丙烯酰胺。
所述防锈剂为苯骈三氮唑。
所述消泡剂为硅聚醚消泡剂。
产品应用本品主要是一种半导体芯片切割液。
所述的半导体芯片切割液使用时，采用去离子水稀释成质量浓度为0.05%～0.2%的稀释液工作，综合性能良好。
产品特性
（1）该半导体芯片切割液可直接使用或者经去离子水稀释后使用，稀释比例根据应用需求可以在四千倍至一万倍，综合性能良好；具体的，该半导体芯片切割液清洁性强、冷却性好，可以有效的清洁芯片尤其焊盘表面，且表面张力小，能渗透直达切口底部，对刀片进行有效的清洗和冷却，提升切割品质，增长使用寿命，而且无钠、氯离子的介入，不损伤芯片表面。
（2）本品半导体芯片切割液通过添加清洁剂，利用清洁剂在材料表面的吸附，阻止粒子和油污粘附在刀具和芯片表面，实现切割刀片中金刚石表面和芯片表面的清洁，保障了切割刀的自锐性和芯片焊盘的清洁度；
（3）本品半导体芯片切割液通过添加润滑剂，增加了切割过程中切割刀片与芯片切割面的边界润滑，减少了切割过程中切割区域出现的应力和隐裂，降低芯片切割面的粗糙度和切割刀片的使用寿命；此外，所添加的润滑剂还有乳化、抑泡的作用，有助于材料表面的清洁和切割区域中热量的传导；
（4）本品半导体芯片切割液通过添加润湿剂和渗透剂，利用润湿剂和渗透剂能够渗入到粒子和杂质粘附的界面上，把粒子和杂质从界面分离，随着切削液的流动而被带走，起到清洗作用；此外，润湿剂和渗透剂还能够降低芯片表面和切割刀表面的表面能，增加芯片表面和切割刀表面的润湿性使切割液更容易作用于材料表面；
（5）本品半导体芯片切割液通过选用苯骈三氮唑作为防锈剂，用于芯片中非铁金属特别是铜合金的防腐；
（6）本品半导体芯片切割液选用醇醚羧酸作为螯合剂，避免了常规螯合剂中金属钠离子对溶液的污染；
（7）本品半导体芯片切割液通过添加粉末沉降剂，通过在切割下来固体颗粒表面的吸附，使得悬浮微粒失去稳定性，在重力作用下脱离水相沉淀，保障切割区域中溶液的洁净度；
（8）本品半导体芯片切割液选用硅聚醚消泡剂，通过抑制液体中泡沫中的形成或长大，加速切割区域中的热传导，减轻切口底部区域及刀尖的局部过热现象，减少了金刚石钝化和脱落，增强了切割刀片的自锐性。
参考文献中国专利公告CN－202110675178.6
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