CN119859790B 氧化镓薄膜的生长方法 （蓝河科技(绍兴)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119859790B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202510353280.2

(22)申请日2025.03.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119859790A

(43)申请公布日2025.04.22

(73)专利权人蓝河科技(绍兴)有限公司

地址311800浙江省绍兴市诸暨市陶朱街

道万旺路8号1号楼1楼

(72)发明人黄小辉徐春阳邢志刚林桂荣

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.CI.

C23C16/40(2006.01)

C23C16/52(2006.01)

(56)对比文件

CN113871303A,2021.12.31

CN113517175A,2021.10.19

胡志国.“MOCVD制备β-Ga203薄膜及其日盲紫外探测器的研究”.《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》.2024,第25-50页“蓝宝石衬底上β-Ga203薄膜的制备”.

审查员李超

权利要求书2页说明书13页附图11页

(54)发明名称

氧化镓薄膜的生长方法

(57)摘要

CN119859790B本申请属于半导体材料制备技术领域，提供一种氧化镓薄膜的生长方法，包括以下步骤：提供反应室和斜切衬底，将斜切衬底放置在反应室内；控制反应室内的温度和压力分别为第一温度和第一压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在斜切衬底上形成第一氧化镓层；控制反应室内的温度和压力分别为第二温度和第二压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在第一氧化镓层上形成第二氧化镓层；其中，第一温度大于第二温度，第一压力小于第二压力。在第一氧化镓层和第二氧化镓层的生长过程中，高温低压的生长环境利于氧化镓材料的快速二维生长，低温高压的生长环境利于氧化镓材料的应力释放，并阻碍缺

CN119859790B

提供反应室和切斜衬底，将斜切衬底放置在反应室内

控制反应室内的温度为第一温度，控制反应室内的压力为第一压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在斜切衬底上形成第一氧化镓层

控制反应室内的温度为第二温度，控制反应室内的压力为第二压力后，向反应室内通入镓源和氧源，以在第一氧化镓层上形成第二氧化镓层，其中，第一温度大于第二温度，第一压力小于第二压力

S1

S2

S3

CN119859790B权利要求书1/2页

2

1.一种氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:提供反应室和斜切衬底，将所述斜切衬底放置在所述反应室内；

S2:控制所述反应室内的温度为第一温度，控制所述反应室内的压力为第一压力后，向所述反应室内通入镓源和氧源，以在所述斜切衬底上形成第一氧化镓层；

S3:控制所述反应室内的温度为第二温度，控制所述反应室内的压力为第二压力后，向所述反应室内通入镓源和氧源，以在所述第一氧化镓层上形成第二氧化镓层；

其中，所述第一温度为1000℃~1300℃,所述第一压力为5mbar~50mbar,所述第二温度为600℃~1000℃,所述第二压力为40mbar~100mbar;

所述第一温度与所述第二温度之间的温差不超过600℃,所述第二压力与所述第一压力之间的压差不超过95mbar,所述第一温度大于所述第二温度，所述第一压力小于所述第二压力；

所述步骤S3中所通入的镓源流量不低于所述步骤S2中所通入的镓源流量。

2.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述第一温度与所述第二温度之间的温差不低于200℃,所述第二压力与所述第一压力之间的压差不低于5mbar。

3.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述斜切衬底的斜切角度为1°~20°,斜切方向为(0001)晶面偏向(11-20)晶面、(1-102)晶面或(10-10)晶面中的任意一种，或者为(11-21)晶面偏向(11-20)晶面或(1-102)晶面中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述斜切衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底的任意一种，所述蓝宝石衬底的斜切方向为(0001)晶面偏向(11-20)晶面，所述碳化硅衬底的斜切方向为(0001)晶面偏向(1-102)晶面或(10-10)晶面，所述硅衬底的斜切方