氧化铟锡（ITO）靶材标准立项修订与发展报告.docxVIP

*

《氧化铟锡（ITO）靶材》国家标准修订发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionofNationalStandardforIndiumTinOxide(ITO)Targets

摘要

氧化铟锡（ITO）靶材作为制备透明导电薄膜的核心关键原材料，其质量直接决定了平板显示器、太阳能光伏电池、特种功能玻璃等战略性新兴产业终端产品的性能与可靠性。随着全球显示面板与光伏产业中心向中国转移，我国已成为全球最大的ITO靶材生产与消费国，产业技术实现了从追赶到并跑乃至部分领跑的跨越式发展。原国家标准GB/T20510-2017《氧化铟锡靶材》在制定时，国内产业尚处发展初期，标准内容已难以全面反映当前高端化、多元化、规模化的产业现状与技术前沿。本报告旨在系统阐述本次标准修订的背景、目的、核心内容及其深远意义。报告指出，本次修订紧密围绕产业实际需求，重点更新了产品分类体系（引入93:7、97:3等主流配比）、大幅提升了关键技术指标（如电阻率、相对密度）、补充了旋转管靶等新规格产品要求，并同步引用了最新的化学成分分析国家标准。此次修订不仅解决了原标准与产业实践脱节的问题，更通过建立先进、统一、协调的技术规范，为保障我国ITO靶材产品质量、引导技术创新、提升国际竞争力、支撑下游显示与新能源产业的健康发展提供了至关重要的标准化基石。报告结论强调，新版标准的实施将有力推动我国高端电子材料产业的标准化、高质量发展。

关键词

氧化铟锡靶材；ITO靶材；国家标准修订；透明导电薄膜；平板显示；太阳能光伏；标准化技术委员会

IndiumTinOxideTarget;ITOTarget;RevisionofNationalStandard;TransparentConductiveFilm;FlatPanelDisplay;SolarPhotovoltaic;StandardizationTechnicalCommittee

正文

一、修订背景与目的意义

氧化铟锡（IndiumTinOxide,ITO）靶材是一种由高纯氧化铟（In?O?）和氧化锡（SnO?）粉末按特定比例混合，经成型与高温烧结工艺制备而成的黑色陶瓷半导体材料。它是通过磁控溅射等物理气相沉积（PVD）技术制备ITO透明导电薄膜的核心源材料。所制备的ITO薄膜兼具高可见光透过率（85%）、高红外反射率、优良的导电性、化学稳定性和可刻蚀性，是平板显示器（FPD）、薄膜太阳能电池、防辐射/电磁屏蔽玻璃、智能触控器件等领域不可或缺的关键功能材料。

当前，市场主流ITO靶材按In?O?与SnO?质量比主要分为90:10、93:7和97:3三种类型，按外形可分为平面靶和旋转管靶。靶材的纯度、电阻率、密度均匀性、微观结构及内部缺陷等指标，对最终薄膜的性能和镀膜工艺的稳定性具有决定性影响。

近年来，全球电子信息与新能源产业格局深刻调整，中国已成为核心制造基地。在平板显示领域，自2017年起中国大陆面板产能已跃居全球第一，至2020年占比超过50%，全球产能向中国大陆集中的趋势显著。ITO靶材作为面板制造中多次镀膜的关键耗材，其市场需求与技术要求随之水涨船高。在新能源领域，薄膜太阳能电池，尤其是高效异质结（HJT）电池技术因其理论效率高、工艺温度低、潜力巨大而成为发展重点，ITO靶材正是其透明导电层制备的核心材料。全球及中国薄膜太阳能电池产量持续增长，为ITO靶材带来了第二增长极。

与此相对应，我国ITO靶材产业实现了从技术依赖到自主可控的华丽转身，产量已占全球40%以上，产品覆盖全系列配比与规格，并成功进入高端市场。国家层面高度重视，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019版）》将“高密度ITO靶材”列为重点新材料；《2021年国家标准立项指南》也强调要加强新能源、光伏等领域的标准体系建设。

然而，现行国家标准GB/T20510-2017《氧化铟锡靶材》制定于产业加速发展初期，其技术内容已滞后于当前产业实践：其一，标准适用范围仅限定于90:10单一配比，无法涵盖已成为主流的93:7、97:3等多配比产品；其二，产品分类依据（相对密度）与行业以化学配比分类的通行做法不符；其三，关键技术指标（如电阻率≤1.6×10??Ω·cm）已低于行业先进水平；其四，缺乏对旋转管靶这一重要产品形态的规定。这种脱节现象，不利于统一产品质量评价、规范市场秩序、引导技术进步和保障下游重大工程的材料安全。

因此，为顺应我国科技与产业的飞速发展，及时将行业最新技术成果和实践经验转化为权威、统一的技术规范，修订GB/T20510《氧化铟锡靶材》国家标准已势在必行。本次修订旨在建立一套科学、先进、适用、与