材料成形基本原理（第3版）（上）课件：多相合金凝固.pptxVIP

《材料成形基本原理》(3Ed)

多相合金凝;

《材料成形基本原理》(第3版)

大部分合金存在着两个或两个以上的相，其凝固过程

称为多相合金凝固。

多相合金的喉固比单相固溶体的喉固情况复杂，除了

可能存在的初生单相固溶体结晶以外，多相合金还可能会出现其它结晶反应，如共晶、包晶及偏晶反应等。本章以讨论共晶凝固为主，适当介绍包晶合金凝固。;

《材料成形基本原理》(第3版)

第一节共晶组织的分类与特点

第二节规则共晶的凝固

第三节共晶与枝晶相的竞争生长

第四节非小平面-小平面非规则共晶的一般特征及形成机制

第五节灰口铸铁的非规则共晶结晶

第六节AI-Si合金的非规则共晶结晶

第七节包晶凝固;

《材料成形基本原理》(第3版)

第一节共晶组织的分类与特点

规则共晶：粗糙一粗糙界面

金属—金属，如：Pb-Sn,Ag-Cu层片状共晶

部分金属—金属间化合物，如：Al-Al?Ni棒状共晶;

●金属-金属共晶及金属-金

属间化合物共晶多为第I类共晶，此类共晶的两相按偶合方式进行“共生生长”,其典型的显微形态是有规则的层片状，或其中有一相为棒状，因此称为“规则共晶”。;

(纤维状)

平行于凝固方向

Al-Al?Cu层片状规则共晶垂直于凝固方向;

灰铸铁的共晶石墨;

(金属-金属间化合物);

光滑-光滑界面(小晶面-小晶面)共晶

●非金属-非金属属于第Ⅲ类共晶体，长大过程两相不再是偶合的。

所得到的组织为两相的不规则混合物，也属于“非规则共晶”。;

一、层片状共晶组织的形核过程

二、层片状共晶的扩散耦合生长

三、层片状共晶生长界面过冷度

四、确定共晶片层距的最小过冷度准则

五、棒状共晶生长;

4领先相富A组元的α固溶体小球析出

4界面前沿B组元原子的不断富集β相固溶体在a相球面上的析出

1向前方及侧面的熔体中排出A组元原子α相依附于β相的侧面长出分枝

β相沿着α相的球面与侧面迅速铺展

1交替进行……

形成具有两相沿着径向并排生长的??形共生界面双相核心;

种彼此依附、交替生长的方式产生新的层片来构成所需的

共生界面，而不需要每个层片重新生核。

层片状共晶的两种形核、长大方式示意动画;

层片状共晶的两种形核、长大方式示意动画;

学

β

R;

《材料成形基本原理》(第3版)

总结——层片状规则共晶生长过程的主要特征：

界面前溶质横向扩散占主导(单相时垂直界面扩散为主);

因两相偶合生长，其生长速度比单相生长情况下快；

相比于单相生长时很大的溶质富集程度(如“液相只有扩散”

的C√JK?),其溶质富集程度很小，最大仅为1/2(其界面前方溶质富集边界层厚度很小，约为片层距的一半λ/2

尺度为微米量级，而单相生长时相应厚度约2D/R——尺度为数百微米量级；

由上述原因可推论：其界面前方通常难以形成成分过冷；

生长界面温度接近平衡共晶温度，故规则共晶生长界面过冷度

通常显著小于单相嗾固界面过冷度。(也明显小于非规则共晶)

进一步了解：“界面过冷度雌;

β-T依据β相液相线及其延长线变化

a-T依据α相液相线及其延长线变化

为什么界面前T如此分布?

定义为：△T。=T.-T

扩散场成分引起的过冷度△Tc;

J,J,Z

h

2/4

a;

《材料成形基本原理》(第3版)

需要特别指出：

这里讨论的△T(共晶温度T与界面处液相线T之

差),并非属于成分过冷(成分过冷为界面及其前

方液相线T与实际温度之差);

到此为止，尚未考虑一定片层距情况下的曲率效应对界面温度的影响。但从前面(图6-12)看到，

曲率效应必然左右界面过冷度。;

为常值，即规则共晶液固界面为等温面

界面总过冷度

对应共晶生长界面液相线温度T如图所示

过冷度差值(图中阴影部分)必然由曲率过冷△T,来补偿

即：△T=T-T=△T+△T,

σaβ必须与σaL和σBL维持力学平衡：

其大小及方向决定了α及β片层的曲率(各处不同)假设曲率处处相等(取平均曲率),则有：;

那么,共晶凝固组织的片层距究竟如何确定呢?

从纯数学角度，总过冷度与片层距关系△T~λ非唯

o一解，即有很多组△T~λ数据可满足上述关系式

△T,则按反比例函数随片层距λ的增大而减小

△Tc随λ的增大而线性增大;

《材料成形基本原理》(第3版)

科研及生产实际表明：对于特定合金在确定喉固冷却条件

下，规则共晶片层距虽然具有一定的分散度，但分散度并

不大，其平均间距略高于入。

研究