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电机控制器损耗计算及分析案例

驱动控制器的效率是衡量控制器性能的重要参数，而功率器件的损耗直接影响着控制器的效率好坏。本文以SEMIKRON公司的SiC功率模块SKM500MB120SC和英飞凌公司的Si功率模块FF900R12ME7P进行分析研究，来对比基于这2种功率模块的电机驱动控制器的损耗。

由于电机驱动控制受电机内部磁芯材料、开关频率、电压大小等因素的影响，为简化分析，本节未考虑基于SiC-MOSFET和Si-IGBT驱动器内部杂散参数的损耗，仅仅分析模块本身以及带电机运行时的效率。功率器件损耗的主要是由导通损耗和开关损耗构成。

导通损耗

5-1功率器件的开通过程等效电路模型

5-1Equivalentcircuitmodelofpowerdevicesturn-onprocess

5-2二极管的开通过程等效电路模型

5-2Theequivalentcircuitmodelofthediodesturn-onprocess

功率器件和内部二极管的导通损耗可以通过器件的电特性进行分析得到，由于只有当功率器件两端的电压超过阈值电压的时候功率器件才导通，因此可以得到导通过程中功率器件以及二极管的等效电路图，如图5-1、5-2所示。

则功率管和二极管的导通损耗为：

PQ

式中：PQ、PD是功率管和二极管的导通损耗；IQM、IDM是流过功率管和二极管的导通电流；IQ、ID是流过功率管和二极管的平均电流；VQ

（2）开关损耗

当系统进入稳态过程中，驱动系统的输入电压是一个常数，假设在一个正弦调制周期内，开关损耗是流过功率管的线性函数，即：

Et

式中，Eti、Emax

那么一个周期内的平均开关损耗即可的：

Psw

由于在半个周期流过功率管内的电流为零，因此在此期间的功率损耗也为零，所以在额定母线电压VDC(ref)和额定峰值电流Ip(ref)的作用下，额定开关损耗

Psw(ref)

为了简化运算，假设功率管的损耗和电压电流成线性关系，则：

Psw

根据数据手册中功率器件和体二极管的输出特性曲线，可以得到如表5-1所示的参数。

表5-1SiC-MOSFET/Si-IGBT参数对比

Table5-1SiC-MOSFET/Si-IGBTparametercomparison

参数

SiC-MOSFET

Si-IGBT

功率管导通压降VQ/

0.14

0.8

二极管导通压降VD/

34

200

功率管导通电阻RQ/

0.78

0.92

二极管导通电阻RD/

195

230

开通损耗Eon/

0.3

0.78

关断损耗Eoff/

0.05

0.4

根据表5-1的计算可以得到表5-2的数据，即2种电机驱动控制器的功率损耗对比，从表中可以看出，在输出功率为2kw，开关频率为10kHz时，基于SiC-MOSFET的电机驱动控制器损耗要比基于Si-IGBT的电机驱动控制器器损耗要低很多，从而使效率也提升将近2%。

表5-22种功率器件控制器的损耗对比（f=10kHz）

Table5-2Losscomparisonoftwopowerdevicecontrollers(f=10kHz)

参数

Si基电机控制器

SiC基控制器

导通损耗/W

31.78

11.46

开关损耗/W

41.85

22.94

驱动器总损耗/W

73.6

34.4

输出功率/W

2kw

2kw

效率/%

96.32%

98.28

本章节所选择的电机为第四章矢量控制策略所选用的电机。由于电机的额定功率为2.5KW，因此分别选择输出功率为0.5kW、1kW、1.5KW、2KW和2.5KW这5种工况情况下进行对比分析，可以验证功率器件在电机运行中的真实工况。设置开关频率为10kHz，分析在不同输出功率情况下，SiC电机控制器和Si电机控制的损耗分布以及能耗曲线，如图5-3、5-4所示。

图5-3不同输出功率下SiC/Si电机控制器损耗分布图

Figure5-3LossdistributiondiagramofSiC/Simotorcontrollerunderdifferentoutputpower

图5-4不同输出功率下SiC/Si电机控制器效率曲线对比

Figure5-4ComparisonofefficiencycurvesofSiC/Simotorcontrollersunderdifferentoutputpowers

从图5-4中可以看到，在选择同样的控制方式下，在输出功率较高的时候，SiC基电机驱动控制器比Si基电机驱动控制器的效率提升将近2%，随着输出功率的降低，效率都有所下降，但是Si-IGBT的下降速度更明显。

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