CN112802912B 包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法 （意法半导体(克洛尔2)公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112802912B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202011162098.2

(22)申请日2020.10.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112802912A

(43)申请公布日2021.05.14

(30)优先权数据10.28FR

(73)专利权人意法半导体(克洛尔2)公司地址法国克洛尔

(72)发明人B·马蒂

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

专利代理师罗利娜

(51)Int.CI.

H10F77/40(2025.01)

H10F30/225(2025.01)

H10F39/10(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

(56)对比文件

US7667400B1,2010.02.23

US2014138785A1,2014.05.22US2019312070A1,2019.10.10CN213366608U,2021.06.04

审查员廖艳闺

权利要求书3页说明书8页附图3页

(54)发明名称

RESMBCO

RES

MBCOREG1

REG3

DTI

SPAD1

FARREG4

CL2

REG2REG1

DTI~SBT

REG3-

CL1

(57)摘要

CN112802912B本公开的实施例涉及包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管，第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二二极管之

CN112802912B

CN112802912B权利要求书1/3页

2

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底；

单光子雪崩二极管的阵列，被形成在所述半导体衬底的前侧，所述阵列包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管彼此相邻；以及

布拉格反射镜，被定位在所述第一二极管与所述第二二极管之间，所述布拉格反射镜被配置成防止光在所述第一二极管与所述第二二极管之间的传播，

其中每个布拉格反射镜(MB)包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替层，所述至少三个交替层中的至少两个层在深度上如下延伸到所述半导体衬底中：从所述前侧向下到底部绝缘区域，所述底部绝缘区域限定每个二极管的底部，所述底部绝缘区域将每个二极管与所述半导体衬底的其余部分电绝缘，其中所述至少三个交替层中的至少一个层在深度上从所述前侧向下延伸到远端，所述远端位于所述前侧与所述底部绝缘区域之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中每个布拉格反射镜被配置成：防止具有如下波长的光的所述传播：能够由热载流子的能量弛豫而生成的波长之中的波长，所述热载流子由在所述第一二极管或所述第二二极管中被触发的雪崩效应生成。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中每个布拉格反射镜(MB)被配置成反射具有如下入射角的光：在所述布拉格反射镜上，相对于与所述布拉格反射镜的材料的每个层正交的轴线，具有在0°和90°之间的入射角。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中不同折射率的所述至少两种材料包括硅和二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括横向深沟槽隔离区域，其中所述至少三个交替层中包括二氧化硅的层和所述横向深沟槽隔离区域具有相同的深度和相同的结构。

6.一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：

在半导体衬底内形成单光子雪崩二极管的阵列，所述阵列包括第一二极管和第二二极管，其中形成所述单光子雪崩二极管的阵列包括：在所述半导体衬底中形成底部绝缘区域，所述底部绝缘区域限定每个二极管的底部，并且将每个二极管与所述半导体衬底的其余部分电绝缘；以及

在所述第一二极管与所述第二二极管之间形成布拉格反射镜，所述布拉格反射镜被配置成防止光在所述第一二极管与所述第二二极管之间的传播，其中每个布拉格反射镜(MB)包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替层，所述至少三个交替层中的至少两个层在深度上如下延伸到所述半导体衬底中：从所述半导体衬底的前侧向下到底部绝缘区域，其中所述至少三个交替层中的至少一个层在深度上从所述前侧向下延伸到远端，所述远端位于所