CN113964040B 一种异质pn结构氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113964040B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202111069065.8

(22)申请日2021.09.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113964040A

(43)申请公布日2022.01.21

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710000陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

H10D8/00(2025.01)H10D62/80(2025.01)

(56)对比文件

A,2021.01.05A,2021.01.05112186033112186034CN

A,2021.01.05

A,2021.01.05

112186033

112186034

审查员任欢

(72)发明人何云龙马晓华陆小力郑雪峰张方洪悦华王当坡郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

专利代理师刘长春

(51)Int.CI.

H10D8/01(2025.01)权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种异质PN结构氧化镓功率二极管及其制

备方法

(57)摘要

CN113964040B本发明涉及一种异质PN结构氧化镓功率二极管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层上刻蚀形成若干纳米沟道结构；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；其中，衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga?0?材料，且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度，阳极为Ni/Au金属叠层，金属Ni与漂移层的界面处形成具有P型特征的Ni0层，Ni0层与漂移层形成异质PN结结构。本发明的制备方法，通过低温退火形成具有P型特性薄层Ni0层可与β-Ga?0?形成异质PN结结构，可以降低反向泄漏电

CN113964040B

选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层

选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层

在衬底层的下表面制备阴极

在漂移层的上刻蚀形成若干纳米沟道结构

在漂移层的上表面制备阳极

对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管

S1

S2

S3

S4

S5

CN113964040B权利要求书1/2页

2

1.一种异质PN结构氧化镓功率二极管的其制备方法，其特征在于，包括：

S1:选取衬底层，在所述衬底层上表面制备漂移层；

S2:在所述衬底层的下表面制备阴极；

S3:在所述漂移层上刻蚀形成若干纳米沟道结构；

S4:在所述漂移层的上表面制备阳极；

S5:对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；

其中，所述衬底层和所述漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga?0?材料，且所述漂移层的掺杂浓度低于所述衬底层的掺杂浓度，所述阳极为Ni/Au金属叠层，金属Ni与所述漂移层的界面处形成具有P型特征的Ni0层，所述Ni0层与所述漂移层形成异质PN结结构；

所述金属Ni与所述漂移层的界面处形成具有P型特征的Ni0层，包括：

采用所述Ni/Au金属叠层中的金属Ni与β-Ga?0?漂移层中的氧，在高温情况下形成所述具有P型特征的Ni0层。

2.根据权利要求1所述的异质PN结构氧化镓功率二极管的其制备方法，其特征在于，所述漂移层的厚度为2-14μm,掺杂浓度为1×101?cm?3-1×101?cm3。

3.根据权利要求1所述的异质PN结构氧化镓功率二极管的其制备方法，其特征在于，所述S2包括：

S21:在所述衬底层的下表面沉积Ti/Au金属叠层；

S22:将器件在N?氛围中进行快速退火处理，形成阴极，其中，退火温度为400～600℃。

4.根据权利要求1所述的异质PN结构氧化镓功率二极管的其制备方法，其特征在于，所述纳米沟道结构的刻蚀深度为100-1300nm,所述纳米沟道结构的宽度为100-900nm。

5.根据权利要求1所述的异质PN结构氧化镓功率二极管的其制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述低温退火工艺的退火温度为100～500℃。

6.一种异质PN结构氧化镓功率二极管，