CN113451113B 衬底处理方法及衬底处理装置 （株式会社斯库林集团）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113451113B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202110313531.6

(22)申请日2021.03.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113451113A

(43)申请公布日2021.09.28

(30)优先权数据

(51)Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

(56)对比文件

US2015128994A1,2015.05.14审查员李伟

2020-0533092020.03.24JP

2020-0533102020.03.24JP

(73)专利权人株式会社斯库林集团地址日本京都

(72)发明人秋山胜哉吉田幸史

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师陈甜甜

权利要求书3页说明书55页附图39页

(54)发明名称

衬底处理方法及衬底处理装置

开始

开始

衬底搬入步骤

亲水化步骤

第1清洗步骤

置换步骤

处理液供给步骤

处理膜形成步骤

剥离步骤

第2清洗步骤

残渣去除步骤

旋转干燥步骤

衬底搬出步骤

结束

S11

s9

CN113451113B(57)摘要本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包含：亲水化步骤，使衬底的表面亲水化；处理液供给步骤，向已亲水化的所述衬底的表面供给处理液；处理膜形成步骤，使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，在所述衬底的表面形成保持所述衬底的表面所存在的去除对象物的处理膜；及剥离步骤，向所述衬底的表面供给剥离液，将保持着所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述衬底的表面剥离。所述剥离步骤包含使所述处理膜部分溶解

CN113451113B

(57)摘要

CN113451113B权利要求书1/3页

2

1.一种衬底处理方法，包含：

亲水化步骤，使衬底的表面亲水化；

处理液供给步骤，向已亲水化的所述衬底的表面供给处理液；

处理膜形成步骤，使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，在所述衬底的表面形成保持所述衬底的表面所存在的去除对象物的处理膜；及

剥离步骤，向所述衬底的表面供给剥离液，将保持着所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述衬底的表面剥离；且

所述剥离步骤包含使所述处理膜部分溶解于所述剥离液，而在所述处理膜形成贯通孔的贯通孔形成步骤，

所述亲水化步骤包含降低纯水在所述衬底的表面的接触角，使所述接触角小于41.7°的接触角降低步骤，

纯水在所述处理膜上的接触角大于52°且小于61°。

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中

所述剥离步骤包含使剥离液进入所述衬底的表面与所述处理膜之间的剥离液进入步

骤。

3.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中

所述亲水化步骤包含通过向所述衬底的表面供给亲水化液，而使所述衬底的表面亲水化的步骤。

4.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中所述亲水化液为氧化液或有机溶剂。

5.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中

Si、SiN、SiO?、SiGe、Ge、SiCN、W、TiN、Co、Cu、Ru及非晶碳中至少任一者从所述衬底的表

面露出。

6.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中

所述衬底的表层包含从所述衬底的表面露出的TiN层，且

所述亲水化液为氧化液。

7.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法，其中

所述处理液含有溶媒及溶质，

所述溶质具有高溶解性成分、及在所述剥离液中的溶解性比所述高溶解性成分低的低溶解性成分，

所述处理膜形成步骤包含形成所述处理膜的步骤，该处理膜具有由所述高溶解性成分形成的高溶解性固体、及由所述低溶解性成分形成的低溶解性固体，

所述剥离步骤是，使所述高溶解性固体溶解于所述剥离液，将保持着所述去除对象物的状态的所述处理膜从所述衬底的表面剥离。

8.一种衬底处理方法，包含：

亲水化步骤，使衬底的表面亲水化；

处理液供给步骤，向已亲水化的所述衬底的表面供给处理液；

处理膜形成步骤，使供给至所述衬底的表面的所述处理液固化或硬化，在所述衬底的表面形成保持所述衬底的表面所存在的去除对象物的处理膜；及

CN113451113B权利要求书2/3