2025年大学（微电子科学与工程）半导体器件毕业综合测试试题及答案.docVIP

2025年大学（微电子科学与工程）半导体器件毕业综合测试试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每小题2分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1.以下哪种半导体材料是目前大规模集成电路中最常用的？

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.氮化镓

2.半导体中参与导电的载流子不包括以下哪种？

A.电子

B.空穴

C.离子

D.光子

3.对于N型半导体，其多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴数量相等

D.不确定

4.半导体二极管的正向导通电压主要取决于？

A.材料的禁带宽度

B.温度

C.掺杂浓度

D.外加电压大小

5.理想二极管在正向导通时，其两端电压近似为？

A.0V

B.导通电压

C.电源电压

D.无穷大

6.稳压二极管正常工作时处于？

A.正向导通状态

B.反向截止状态

C.反向击穿状态

D.不确定

7.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是？

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

8.三极管的电流放大倍数β主要与以下哪个因素有关？

A.基区宽度

B.集电区面积

C.发射区掺杂浓度

D.以上都是

9.场效应管是通过控制什么来实现对电流的控制？

A.栅极电流

B.漏极电流

C.源极电流

D.沟道电阻

10.绝缘栅型场效应管的输入电阻？

A.较小

B.很大

C.与普通三极管相当

D.不确定

11.增强型MOS管在开启前，其漏极电流为？

A.较大值

B.较小值

C.零

D.不确定

12.半导体器件的反向电流会随着温度的升高而？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

13.以下哪种半导体器件常用于数字电路中的开关元件？

A.二极管

B.三极管

C.MOS管

D.以上都可以

14.半导体集成电路是将多个半导体器件集成在？

A.一块陶瓷基板上

B.一块塑料基板上

C.一块半导体芯片上

D.多个芯片上

15.数字集成电路中最基本的逻辑门不包括？

A.与门

B.或门

C.非门

D.与非门

16.以下哪种封装形式散热性能较好？

A.塑料封装

B.陶瓷封装

C.金属封装

D.玻璃封装

17.半导体器件在高频工作时，主要受到哪种效应的影响？

A.热效应

B.光电效应

C.电容效应

D.磁效应

18.对于功率半导体器件，其主要性能指标不包括？

A.耐压能力

B.电流容量

C.开关速度

D.放大倍数

19.光电器件是利用半导体的什么效应工作的？

A.光电效应

B.热电效应

C.磁电效应

D.压阻效应

20.发光二极管发出的光的颜色主要取决于？

A.材料的禁带宽度

B.掺杂浓度

C.正向电流大小

D.封装形式

第II卷（非选择题共60分）

21.（10分）简述半导体的导电特性以及N型半导体和P型半导体的形成原理。

22.（10分）画出半导体二极管的伏安特性曲线，并说明各个区域的特点。

23.（10分）分析三极管共发射极放大电路的工作原理，画出其电路图并标注各元件名称。

24.（15分）材料：某数字电路由多个逻辑门组成，其输入信号A、B、C经过一系列逻辑门运算后得到输出信号Y。已知逻辑门的运算规则如下：与门：Y=AANDB；或门：Y=AORB；非门：Y=NOTA。输入信号A=1，B=0，C=1。首先A和B经过与门运算得到结果D，D再与C经过或门运算得到最终输出信号Y。求输出信号Y的值，并写出运算过程。

25.（15分）材料：某功率MOS管的参数如下：耐压值为1000V，最大漏极电流为5A，导通电阻为0.5Ω。现要将该MOS管应用于一个功率电路中，该电路的电源电压为800V，负载电阻为10Ω。计算该MOS管在该电路中的功耗，并判断该MOS管是否能正常工作。

答案：

1.A

2.D

3.A

4.A

5.A

6.C

7.B

8.D

9.D

10.B

11.C

12.A

13.D

14.C

15.D

16.C

17.C

18.D

19.A

20.A

21.半导体的导电特性介于导体和绝缘体之间，其导电能力受温度、光照、杂质等因素影响。N型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素，使得半导体中电子浓度增加，电子成为多数载流子。P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质元素，使得半导体中空穴浓度增加，空穴成为多数载流子。

22.半导体二极管伏安