CN118201185B 一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法 （华硼中子科技(杭州)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118201185B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202410225786.0

(22)申请日2024.02.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118201185A

(43)申请公布日2024.06.14

(66)本国优先权数据

202310832454.42023.07.07CN

(73)专利权人华硼中子科技(杭州)有限公司地址310000浙江省杭州市上城区九环路

63号2幢A座135室

(72)发明人王盛李竞伦胡耀程

(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公

司33109专利代理师何俊

(51)Int.CI.

H05H

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A61N

C23C

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3/06(2006.01)6/00(2006.01)7/00(2006.01)5/10(2006.01)14/35(2006.01)

14/24(2006.01)

14/16(2006.01)

(56)对比文件

US2023009459A1,2023.01.12审查员吴小云

权利要求书1页说明书8页附图2页

(54)发明名称

一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制

备方法

(57)摘要

CN118201185B本发明涉及工程技术领域，公开了一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶及其制备方法。该中子源锂靶包括由下至上依次叠层的基板结构，衬底层，阻锂扩散层，锂靶层，以及盖设于锂靶层外周的保护层；阻锂扩散层与保护层对锂靶层的全部外周表面形成包封；阻锂扩散层的材料选自钽、钼、碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。本发明在现有中子源锂靶结构的基础上，于锂靶层下方设计有一层阻锂扩散层，其与保护层配合后能够有效减少锂靶层厚度损失以

CN118201185B

CN118201185B权利要求书1/1页

2

1.一种包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：包括由下至上依次叠层的基板结构，衬底层，阻锂扩散层，锂靶层，以及盖设于所述锂靶层外周的保护层；

所述阻锂扩散层与所述保护层对所述锂靶层的全部外周表面形成包封；

所述阻锂扩散层的材料选自碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒、钨、钽和钼中的一种或多种；

所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(10-40):1:(140-160)。

2.根据权利要求1所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：所述阻锂扩散层的材料选自碳化硅、氮化铝、氧化钇、氧化铒和钨中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：所述衬底层的材质选自钽、钒、钯、铂、钛、铌或其合金。

4.根据权利要求1所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：

所述衬底层的材质为钽或钯，所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(18-22):1:(140-160);或

所述衬底层的材质为钒，所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(27-33):1:(140-160);或

所述衬底层的材质为铂，所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(13-17):1:(140-160);或

所述衬底层的材质为钛，所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(31-39):1:(140-160);或

所述衬底层的材质为铌，所述衬底层、阻锂扩散层与锂靶层的厚度比为(22-28):1:(140-160)。

5.根据权利要求1-4任一项所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：所述阻锂扩散层的厚度5微米。

6.根据权利要求5所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：所述阻锂扩散层的厚度为1微米。

7.根据权利要求1所述的包含阻锂扩散层的中子源锂靶，其特征在于：所述基板结构选自金属基板、硅基板、石英基板、陶瓷基板或聚合物基板。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述包含阻锂扩散层的中子源锂靶的制备方法，其特征在于包括：在基板结构的上表面依次制备衬底层、阻锂扩散层、锂靶层，最后在锂靶层的外周表面制备形成保护层，以实现阻锂扩散层与保护层对锂靶层的包封。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述衬底层、阻锂扩散层和保护层通过磁控溅射镀膜工艺制得。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述锂靶层通过热蒸发沉积工艺制得。

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