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電光效應當加到介質上的電場較大，足以將原子內場（約為3*108V/cm）擾亂到有效程度，就可以使本來是各向同性的介質產生雙折射，本來是光學各向異性的晶體其雙折射特性發生變化。這種因外加電場使介質光學性質發生變化的效應，叫電光效應。電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應電光效應3.4.2光折變晶體內的兩波耦合和衍射效率在光折變晶體內，由入射光波所寫入的相位光柵又同時引起入射光波的相互耦合，從而使它們的光強和位相隨傳播距離而不斷變化。光波的這種變化又影響後繼光柵的寫入，這樣在光折變晶體內所記錄的是一種動態的體相位柵。與以前介紹的恒定光柵不同，這裏是一種自洽偶合過程。下麵推導雙光束在其所寫入的動態體相位光柵作用下的耦合波方程。兩波耦合兩波耦合兩波耦合兩波耦合兩波耦合兩波耦合將複振幅分成大小和相位兩部分，即兩波耦合對稱記錄光路電場振動方向應沿y軸無吸收情況下兩波耦合無吸收情況下兩波耦合無吸收情況下兩波耦合無吸收情況下兩波耦合無吸收情況下兩波耦合無吸收情況下兩波耦合由方程（3-52）和（3-53）可知從上式可知，如果?g??/2且Ir?Is，則兩寫入光束間存在位相耦合，即雙光束之間位相轉移變化。由於光折變效應的慣性，這種位相轉移將導致雙光束之間發生瞬態能量轉移，見下圖。由位相轉移產生的

瞬態能量轉移

全息存储的记录材料3.4.1光折變材料的全息存儲機理與特性3.4.1光折變效應簡介光折變效應是光致折射率變化效應的簡稱，其含義是電光材料在光輻照下，折射率隨光強的空間分佈而變化。光折變效應首先是由貝爾實驗室工作的Ashkin等人於60年代發現的。當初稱為光損傷。光致折射率變化與通常在強光作用下所引起的非線性折射率變化的機制完全不同，後者起因於光致瞬態非線性電極化。光折變材料具有較大的電光係數，與一般在高功率鐳射場作用下的非線性光學材料相比有兩個顯著的特點（1）光折變材料的光學非線性效應與光強無關。（2）光折變材料具有非局域回應。光折變材料能做成各種用途的非線性光學器件。如體全息即時記憶體、光放大器、光振盪器、相位共軛器、空間光調製器等。折射率光柵的建立(1)在適當波長的空間非均勻分佈的光輻照下，晶體內的施主(受主)心被電離產生電子(空穴)；同時電子(空穴)從中間能級受激躍遷至導帶(價帶)。(2)?光激發載流子在導帶(價帶)內可自由遷移；光激發載流子具有三種遷移機制：擴散(載流子由於濃度不同而擴散遷移)、漂移(載流子在外場或晶體內極化電場作用下的漂移)和異常光生伏打效應(均勻鐵電體材料在均勻光照下，產生沿自發極化方向的光生伏打電流)。在光折變效應中，上述三種遷移機制單獨作用或聯合作用完成了光折變晶體內部載流子的遷移過程。折射率光柵的建立(3)??遷移的電子(空穴)可以被重新俘獲，經過再激發、再遷移、再俘獲，最終離開光照區而在暗光區被電子(空穴)陷阱俘獲。由此導致晶體內空間電荷分佈的變化，使空間電荷分離，從而形成了相應於光場分佈的空間電荷場。(4)??空間電荷場通過線性電光效應(泡克爾斯效應)，在晶體內形成折射率的空間調製變化，產生折射率調製的位相光柵。折射率光柵的建立光折變效應的物理過程可概括為：（1）非均勻分佈的光激發載流子的過程；（2）光激載流子遷移和被俘獲導致空間電荷場產生的過程；（3）空間電荷場通過線性電光效應引起的折射率調製過程。光折變過程的能級圖以Fe:LiNbO3為例說明Fe3+和Fe2+(a)光電離，(b)擴散，(c)複合，(d)形成空間電荷並產生電場。Fe2+雜質中心作為施主，電離後變成Fe3+，而Fe3+中心作為陷阱，複合後變成Fe2+。光折變過程1.帶輸運模型不動的電離施主隨時間的變化率方程：自由電子的連續性方程：電流方程：空間電荷分佈形成局域電場，滿足高斯定理：2.驅動光強2.驅動光強3.光致空間電荷場帶輸運模型是一組非線性偏微分耦合方程，通常只有數值解。為了獲得空間電荷場的解析解，需要引入以下近似處理：3.光致空間電荷場（3）認為光強的調製度M(z)1且?M(z)/?xk，則可以忽略受空間調製的各個參數N+D、?、及Esc的傅立葉級數展開式中的高階項，認為它們與光強有相同的分佈，其形式為：這種近似的線性化處理帶輸運模型，其結果只對調制度M(z)1的情況有效，但是在光柵週期很小（不超過幾微米）情況下，對任意調製度，其結果也是較好的，或者在調製度小於0.6∽0.8的情況下，對大光柵週期，其結果也是較好的3.光致空間電荷場在圖3-6所示的對稱記錄光路中，（3-13）所示的正弦調製光強為根