模电复习提纲(上).docVIP

2012-5-23

第一章（概念、简单计算）

1.四种类型的放大电路模型P10

2.输入电阻Ri，输出电阻Ro，P13，公式1.5.2

3.增益（单位B，或dB），电压增益，电流增益，功率增益。

4.频率响应（幅频响应、相频响应），波特图，半功率点-3dB，

带宽BW=fH-fL≈fH，上限频率下限频率

练习题1.5.（1、2、3、6、7）

第二章（理解、分析计算）

1.运算放大器模型P24,运放的传输特性图P25

在线性放大区，Vp-Vn之差特别小，故当运放输出Vo小于Vom时，Vp-Vn≈0，近似的得到Vp=Vn。“虚短”由此得名。Vp-Vn≈0，故输入电流Ii也很小，几乎为零，“虚断”由此得名。

注意，如果输出接近Vom,虚断、虚断的条件就不再满足了。

2.同相放大电路

特点：同相端输入，由于负反馈（瞬时极性法）的作用，满足虚短虚断。

特殊应用：电压跟随器。

3.反相放大电路

特点：反相输入，由于的作用，满足。

应用：求差电路，求和电路，积分电路，微分电路

积分微分电路，积分和微分的计算。u=

求差电路，参考图P36-2.4.2，电路后半部分就是求差电路，此图较易理解。

遇到电容和电感，使用s域模型来表达更简单。

练习题：课后习题ALL

第三章（概念）

1.本征半导体+杂质=杂质半导体（P型N型）

2.多数载流子，少数载流子，怎么来的？两种运动方式（扩散、漂移）

3、空间电荷区的形成过程（先扩散，再漂移），正向偏置和反向偏置条件下空间电荷区的变化。

4.击穿的种类和分别

电击穿（雪崩、齐纳），热击穿

5.扩散电容（PN结正向偏置），势垒电容（反向偏置）

1.二极管的4种模型（自己总结）

2.判断二极管导通截止的方法。含有多个二极管时的工作状态判断。

3.特殊二极管，只要求稳压二极管。习题3.5.（123）

第四章BJT低频放大电路(理解、计算)

1.饱和区、截止区，放大区的判断方法。

2.直流通路–静态工作点，交流通路–小信号模型–求增益。电路符号要规范。

BJT的低频模型及参数。

3.P125直流负载线，交流负载线

4.静态工作点的稳定方法。判断电路是否有稳定静态工作点的作用。

5.放大电路的失真分析。

6.增益带宽积（概念）