CN111668088B 一种碳化硅衬底的处理方法 （全球能源互联网研究院有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111668088B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202010345960.7

(22)申请日2020.04.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111668088A

(43)申请公布日2020.09.15

(73)专利权人全球能源互联网研究院有限公司地址102209北京市昌平区未来科技城滨

河大道18号

专利权人国家电网有限公司

国网山东省电力公司泰安供电公司

(72)发明人吴昊吴军民金锐汤广福潘艳邱宇峰田亮孙俊敏李晨吴斌齐向

(74)专利代理机构北京安博达知识产权代理有限公司11271

专利代理师徐国文

(51)Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

H10D62/83(2025.01)

(56)对比文件

CN106611700A,2017.05.03

CN106611696A,2017.05.03

US2014065799A1,2014.03.06

US2003080384A1,2003.05.01

CN114899093A,2022.08.12

CN113990750A,2022.01.28

审查员李非儿

权利要求书2页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种碳化硅衬底的处理方法

通过等离子体处理设备对碳化硅衬底进行钝化

通过等离子体处理设备对碳化硅衬底进行钝化

采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火

在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层

S101

S102

S103

CN111668088B(57)摘要本发明提供一种碳化硅衬底的处理方法，通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层；对碳化硅衬底进行高温退火，可以改善碳化硅衬底表面形貌，减少碳化硅衬底与氧化层界面处杂质的引入，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子

CN111668088B

(57)摘要

CN111668088B权利要求书1/2页

2

1.一种碳化硅衬底的处理方法，其特征在于，包括：

通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；

采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；

在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层；

采用RCA标准清洗所述碳化硅衬底；

基于氧族气体、氮族气体和磷族气体中的一种或多种，采用等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；

当采用氧族气体、氮族气体和磷族气体三种气体时，先基于氧族气体对碳化硅衬底进行钝化，然后基于氮族气体对碳化硅衬底进行钝化，最后基于磷族气体对碳化硅衬底进行

钝化；

所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：

当采用氧族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W,接着以10SCCM-100OSCCM的流量通入氧族气体，维持1s-5min;

所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：

当采用氮族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W,接着以10SCCM-1000SCCM的流量通入氮族气体，维持1s-5min;

所述通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化，包括：

当采用磷族气体时，将所述碳化硅衬底放入等离子体处理设备，并将所述等离子体处理设备抽真空；将所述等离子体处理设备的内部温度调至200℃-400℃,之后将所述等离子体处理设备的功率调至10W-1000W,接着以10SCCM-2000SCCM的流量通入磷族气体，维持1s-5min;

所述采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火，包括：

将钝化后的碳化硅衬底放入退火炉，并将所述退火炉抽真空至1torr-30torr;

以10℃/min-200℃/min