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2025年（芯片制造技术）制造技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.芯片制造中光刻技术的主要作用是（）

A.刻蚀芯片表面B.形成电路图案C.掺杂杂质D.连接电路

答案：B

2.以下哪种材料常用于芯片制造中的衬底（）

A.铜B.硅C.金D.铝

答案：B

3.芯片制造中掺杂工艺的目的是（）

A.改变芯片颜色B.调整芯片性能C.增加芯片厚度D.降低芯片成本

答案：B

4.集成电路制造中，CMOS工艺的全称是（）

A.互补金属氧化物半导体工艺B.金属氧化物半导体工艺C.互补金属半导体工艺D.金属半导体工艺

答案：A

5.芯片制造中，用于清洗芯片表面的设备是（）

A.光刻机B.刻蚀机C.清洗机D.扩散炉

答案：C

6.目前先进芯片制造中常用的光刻技术波长是（）

A.193nmB.248nmC.365nmD.450nm

答案：A

7.芯片制造中，外延生长工艺是为了（）

A.生长额外的芯片层B.去除芯片表面杂质C.提高芯片温度D.降低芯片功耗

答案：A

8.以下哪种不是芯片制造中的刻蚀技术（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.激光刻蚀D.化学刻蚀

答案：D

9.芯片制造中，封装的主要作用不包括（）

A.保护芯片B.便于芯片散热C.提高芯片性能D.方便芯片安装

答案：C

10.芯片制造中，用于测量芯片尺寸的工具是（）

A.卡尺B.显微镜C.万用表D.示波器

答案：B

11.芯片制造中，化学气相沉积（CVD）工艺主要用于（）

A.在芯片表面沉积薄膜B.去除芯片表面薄膜C.加热芯片D.冷却芯片

答案：A

12.以下哪种是芯片制造中常用的掩膜材料（）

A.玻璃B.塑料C.光刻胶D.金属

答案：C

13.芯片制造中，离子注入工艺是将（）注入到芯片中。

A.离子B.原子C.分子D.电子

答案：A

14.芯片制造中，用于检测芯片电路是否导通的设备是（）

A.光刻机B.万用表C.刻蚀机D.扩散炉

答案：B

15.目前芯片制造中常用的封装形式不包括（）

A.QFPB.BGAC.DIPD.USB

答案：D

16.芯片制造中，退火工艺的目的是（）

A.消除芯片内部应力B.增加芯片硬度C.降低芯片温度D.提高芯片亮度

答案：A

17.芯片制造中，用于制造晶体管栅极的材料通常是（）

A.硅B.二氧化硅C.金属D.氮化硅

答案：D

18.芯片制造中，光刻分辨率主要取决于（）

A.光刻胶厚度B.曝光波长C.芯片尺寸D.刻蚀时间

答案：B

19.芯片制造中，化学机械抛光（CMP）工艺主要用于（）

A.平整芯片表面B.增加芯片粗糙度C.腐蚀芯片表面D.加热芯片

答案：A

20.以下哪种技术可用于提高芯片集成度（）

A.缩小晶体管尺寸B.增加芯片厚度C.降低芯片功耗D.提高芯片温度

答案：A

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

答题要求：请根据题目要求，在答题区域下划线处作答，简答题答案字数150字左右。

三、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻技术的基本原理。

光刻技术是通过光刻胶对特定波长光的感光特性，将掩膜版上的电路图案转移到芯片表面。首先在芯片表面涂覆光刻胶，然后用特定波长光照射掩膜版，掩膜版透光部分对应的光刻胶感光发生化学反应，再通过显影等工艺去除未感光部分光刻胶，从而在芯片表面留下与掩膜版图案一致的光刻胶图案，为后续刻蚀等工艺提供图案模板。

2.说明芯片制造中掺杂工艺的分类及作用。

掺杂工艺分为N型掺杂和P型掺杂。N型掺杂是向硅等半导体材料中掺入磷等五价元素，使半导体中电子浓度增加，形成N型半导体，主要用于制造电子型器件。P型掺杂是向半导体中掺入硼等三价元素，使半导体中空穴浓度增加，形成P型半导体，常用于制造空穴型器件。通过不同类型掺杂可制造出各种晶体管等器件，实现芯片的逻辑功能。

3.阐述芯片封装的重要性及常见封装步骤。

芯片封装非常重要，它能保护芯片免受外界物理、化学等损伤，还能实现芯片与外界的电气连接、散热等功能。常见封装步骤包括：首先将芯片固定在封装基板上，然后进行引线键合，使芯片引脚与封