《新能源汽车驱动电机与控制技术》_3.1功率半导体器件.pptVIP

4绝缘栅双极晶体管◆动态特性?开通过程√开通延迟时间td(on)电流上升时间tr电压下降时间tfv开通时间ton=td(on)+tr+tfv√tfv分为tfv1和tfv2两段。?关断过程√关断延迟时间td(off)电压上升时间trv电流下降时间tfi关断时间toff=td(off)+trv+tfi√tfi分为tfi1和tfi2两段?引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度要低于功率MOSFET。图2-25IGBT的开关过程*4绝缘栅双极晶体管■IGBT的主要参数◆前面提到的各参数。◆最大集射极间电压UCES?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。◆最大集电极电流?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。◆最大集电极功耗PCM?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。*4绝缘栅双极晶体管◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下：?开关速度高，开关损耗小。?在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。?通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。?输入阻抗高，其输入特性与功率MOSFET类似。?与功率MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。*4绝缘栅双极晶体管■IGBT的擎住效应和安全工作区◆IGBT的擎住效应?在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。?引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。?动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。*4绝缘栅双极晶体管◆IGBT的安全工作区?正向偏置安全工作区（ForwardBiasedSafeOperatingArea——FBSOA）√根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。?反向偏置安全工作区（ReverseBiasedSafeOperatingArea——RBSOA）√根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。*休息，休息……3晶闸管的主要参数◆通态（峰值）电压UT?晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。◆通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。■电流定额◆通态平均电流IT(AV）?国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。?按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应来定义的。?一般取其通态平均电流为按发热效应相等（即有效值相等）的原则所得计算结果的1.5~2倍。*3晶闸管的主要参数◆维持电流IH?维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安。?结温越高，则IH越小。◆擎住电流IL?擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。?约为IH的2~4倍◆浪涌电流ITSM?指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。*3晶闸管的主要参数■动态参数◆开通时间tgt和关断时间tq◆断态电压临界上升率du/dt?在额定结温和门极开路的情