《电子技术基础》_第2章.pptVIP

2.3三极管

是一种电流的控制作用，即用基极电流的微小变化来控制使集电极电流作较大变化。β越大，IB对IC的控制作用越强。2.3.3三极管的伏安特性三极管的伏安特性是指三极管各极间电流与电压的关系。它是分析三极管放大性能的主要依据。将三极管的发射极作为公共端，基极与发射极作为输入端、集电极和发射极作为输出端形成共射电路，三极管的共射伏安特性可以由图2?3?3中的电路进行实验测出。1.输入特性当uCE不变时，输入回路中的电流iB与电压uBE之间的关系曲线称为输入特性，上一页下一页返回2.3三极管

即图2?3?4（a）为实测的输入特性曲线。显然，这一曲线与二极管正向特性曲线相似，在此就不作进一步分析了。2.输出特性当iB不变时，输出回路中的电流iC与电压uCE之间的关系曲线称为输出特性，即上一页下一页返回2.3三极管

图2-3-4（b）为实测的输出特性曲线。该曲线的测试过程如下：调节RW使iB=40μA，维持这一值不变，逐渐调大VCC，可测得图2-3-4（b）中iB=40μA所示的曲线。当取不同的iB值时，可得到图2-3-4（b）中所示的曲线簇。从输出特性曲线可看出：（1）曲线起始部分较陡。iC=0，uCE=0，uCE↑→iC↑。（2）当uCE增加到大于1V时，曲线变化逐渐趋于平稳。uCE进一步增大，曲线也不再产生显著变化，而呈现一条基本与横轴平行的直线。在三极管的输出特性曲线上，可以把三极管的工作状态分为三个区域，即截止区、放大区和饱和区，如图2?3?4（b）所示。上一页下一页返回2.3三极管

（1）截止区。一般将iB≤0的区域称为截止区。在图中为iB=0的一条曲线的以下部分，此时iC也近似为零。由于此时各极电流都基本上等于零，因而此时三极管没有放大作用。此时发射结反向偏置，发射区不再向基区注入电子，三极管处于截止状态。所以，在截止区，三极管的两个结均处于反向偏置状态。对NPN三极管，uBE＜0，uBC＜0。（2）放大区。放大区，即曲线上比较平坦的部分，此时发射结正向偏置，集电结反向偏置。表示当iB一定时，iC的值基本上不随uCE而变化。在这个区域内，当基极电流发生微小的变化量ΔiB时，相应的集电极电流上一页下一页返回2.3三极管

将产生较大的变化量ΔiC，iC相当于是受iB控制的受控电流源，有电流放大作用。此时二者的关系为对于NPN三极管，工作在放大区时，uBE≥0.7V，而uBC＜0。（3）饱和区。在输出特性曲线上，饱和区确切范围不易明显地划出，它大致在曲线簇的左侧，uCE较小的区域（uCE＜uBE），如图2?3?4（b）所示。当三极管处于饱和状态时，如果保持基极电流iB的值不变，集电极电流iC会随着uCE的增大迅速增大。此时三极管失去了电流上一页下一页返回2.3三极管

放大作用。饱和时三极管c与e间的电压记作UCES，称为饱和压降。一般小功率硅管的UCES≈0.3V，锗管UCES≈0.1V。此时发射结、集电结都处于正向偏置，三极管处于饱和状态。当集电极外接电阻CR阻值很大，或者集电极电流iC较大时就会出现这种情况。2.3.4三极管的主要参数三极管的参数用来表示管子的性能，是选择和使用三极管的重要依据。其主要参数有下面几个。1.电流放大倍数电流放大倍数是表示三极管的电流放大能力的参数。由于制造工艺的离散性，即使同一型号的三极管，其β值也有很大差别。常用三极上一页下一页返回2.3三极管

管的β值一般在20～200之间。若三极管的β值小，则电流放大效果差。但β值太大的三极管，性能不稳定。2.穿透电流ICEO基极开路时，集电极与发射极之间加反向电压时的集电极电流称作穿透电流。由于这个电流由集电极穿过基区流到发射极，故称穿透电流。性能良好的管子ICEO比较小。ICEO受周围温度影响较大。温度升高时，ICEO急剧增大，这对三极管的稳定性会产生很不利的影响。3.集电极最大允许电流ICM由于结面积和引出线的关系，要限制晶体管的集电极最大电流，如果超过这个电流使用，晶体管的β值就要显著下降，甚至可能损坏。上一页下一页返回2.3三极管

所以把β