CN112786423B 用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法 （Spts科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112786423B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202010396811.3

(22)申请日2020.05.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112786423A

(43)申请公布日2021.05.11

(30)优先权数据

(51)Int.CI.

H01J37/32(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

(56)对比文件

CN110383449A,2019.10.25审查员程健

1916079.52019.11.05GB

(73)专利权人SPTS科技有限公司地址英国新港

(72)发明人0·安塞尔H·戈登-莫伊斯

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师章蕾

权利要求书3页说明书9页附图7页

(54)发明名称

用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备及方法

(57)摘要

CN112786423B本申请案涉及一种设备及一种方法。本申请案在至少一些其实施例中提供一种即使在掩模的敞开区域的分率低(例如小于约1%)时也适于通过提供强终点信号来确定蚀刻终点的设备。在至少一些实施例中，本申请案进一步提供跨衬底的宽区域具代表性的终点信号。在至少一些实施

CN112786423B

20

查看口

18-

28反射光

16晶片12晶片支撑件-

10

30

相机

光源22

透镜布置26

←腔室14

入射光24

等离子体32

CN112786423B权利要求书1/3页

2

1.一种用于对衬底进行等离子体蚀刻的设备，所述设备包括：

腔室；

衬底支撑件，其安置在所述腔室内，所述衬底支撑件具有支撑表面用以支撑待等离子体蚀刻的所述衬底；

白光照明源，其用于在等离子体蚀刻工艺期间照明所述衬底的区，其中所述照明源经安装以用相对于所述衬底支撑件的所述支撑表面的法线具有小于10°的入射角的入射光束照明所述衬底的所述区；

相机，其经布置以拍摄由所述照明源照明的所述区的连续图像，其中所述白光照明源及所述相机设置在与所述支撑表面相对的所述腔室中，从而面向所述支撑表面，且其中由所述相机接收到的光都以所述入射角照明在所述衬底的所述区上；及

处理器，其经配置以对所述图像执行图像处理技术，以便识别对应于所述衬底上的至少一个特征的位置的所述图像中的一或多个像素并测量来自所述一或多个像素的反射率信号；

其中所述处理器经配置以响应于所述位置处的测得反射率信号而修改所述等离子体蚀刻工艺，且其中所述一或多个像素具有小于所述衬底上的所述特征的尺寸的面积。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理器经配置以响应于所述位置处的所述测得反射率信号的变化而修改所述等离子体蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述照明源经安装以用相对于所述衬底支撑件的所述支撑表面的所述法线具有小于5°的入射角的入射光束照明所述衬底的所述区。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述照明源经安装以用相对于所述衬底支撑件的所述支撑表面的所述法线具有小于2°的入射角的入射光束照明所述衬底的所述区。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述照明源经安装以用相对于所述衬底支撑件的所述支撑表面的所述法线具有为约0°的入射角的入射光束照明所述衬底的所述区。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其进一步包括光学布置，所述光学布置经布置以将由所述照明源发射的光聚焦到所述衬底上及/或到所述相机中。

7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其进一步包括光学滤光器，所述光学滤光器经定位以对进入所述相机的选定波长的光进行滤光。

8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的设备，其中所述图像处理技术包括图像图案辨识及/或图像图案匹配。

9.一种对衬底进行等离子体蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)使用白光照明源来用入射光束照明待等离子体蚀刻的所述衬底的区，其中用于照明所述衬底的所述区的所有光相对于所述衬底的前表面的法线具有小于10°的入射角；

(b)使用相机来拍摄在等离子体蚀刻工艺期间照明的所述区的连续图像；

(c)将图像处理技术应用于所述图像，以便识别对应于所述衬底上的至少一个特征的位置的所述图像中的一或多个像素并在所述一或多个像素处测