CN112643910B 一种大尺寸硅片的切割方法 （天合光能股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112643910B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号202011644240.7

(22)申请日2020.12.31

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112643910A

(43)申请公布日2021.04.13

(73)专利权人天合光能股份有限公司

地址213031江苏省常州市新北区天合光

伏产业园天合路2号

(72)发明人陈雪张舒高纪凡王乐

(74)专利代理机构浙江永鼎律师事务所33233专利代理师郭小丽

(51)Int.CI.

B28D5/04(2006.01)

(56)对比文件

CN108068221A,2018.05.25审查员张红英

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种大尺寸硅片的切割方法

(57)摘要

CN112643910B本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法，它是将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。本发明提供一种利用小炉型生产大尺寸硅片的方法，使得各种

CN112643910B

CN112643910B权利要求书1/1页

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1.一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个长度为1的立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长d与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成长宽分别为1和d的矩形硅片；

当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的二倍而小于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成6个立方体方棒，其中2个较大的立方体晶棒其中一边长为d,一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1;另外两个相对小的立方体，一边长为d,一边长为h2,沿着

单晶圆棒轴心线方向的深度为1;另外还有两个相对小的立方体，一边长为d,一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,分别将6个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为1和d的矩形硅片；

当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成5个立方体晶棒，其中一个立方体晶棒一边长为d,一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1;其中二个立方体晶棒一边长为d,一边长为h2,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,剩余二个立方体晶棒一边长为d,一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,分别将5个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为1和d的矩形硅片；或者，

当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成11个立方体晶棒，其中三个立方体晶棒一边长为d,一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,其中四个立方体晶棒一边长为d,一边长为h2,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,剩余四个立方体晶棒一边长为d,一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为1,分别将11个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为1和d的矩形硅片。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅片的切割方法，其特征在于，其中，d=60-125mm,1=156-250mm,矩形硅片厚度为50-250μm。

CN112643910B说明书1/6页

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一种大尺寸硅片的切割方法

技术领域

[0001]本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法。

背景技术

[0002]目前行业内组件不断往功率更高的方向发展，除了本身电池效率提升、组件封装技术提升，另一方面硅片尺寸也不断升级，来支撑更高功率更低成本的组件产品。硅片尺寸从最开始的125mm升级到从156mm、158mm,2018年开始升级到163mm、166mm,2019年开始甚至开始开发到182mm、210mm-230mm,整个产业链不断升级，随之带来的问题是，旧的设备产能在不断的淘汰。为了拉制更大的晶棒获得更