化学机械抛光液28.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

二氧化硅（120nm）

15

15

15

15

表面活性剂

二甲基硅氧烷改性聚氧乙烯醚-3

0.01

－

－

－

三硅氧烷改性聚氧丙烯醚-10

－

0.01

－

－

二乙基改性聚氧乙烯醚-3

－

－

0.01

－

二丙基改性聚氧乙烯醚-3

－

－

－

0.01

去离子水

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合均匀，用KOH调节至所需PH值，即为抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅5~30、表面活性剂0.0025~0.1、去离子水余量。

所述的二氧化硅为本领域常用的化学机械抛光液磨料。二氧化硅的粒径较佳的为20～120nm。

所述表面活性剂为硅氧烷封端和聚环氧烷。

其中，所述的烷基取代的硅氧烷封端的聚环氧烷中，聚环氧烷中的重复单元较佳的为乙氧基和/或丙氧基。烷基取代的硅氧烷中，烷基取代基的碳原子数较佳的为1~3，取代基更佳的为甲基。取代基的基团数较佳的为1、2或3。聚环氧烷中的重复单元数较佳的为3~25，更佳的为3~9。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

（1）本品的抛光液在抛光过程中不会产生泡沫，不影响抛光速率。

（2）通过调节使用不同的端基以及聚烷氧基中的重复单元的数目，能达到不同的二氧化硅与多晶硅的选择比，具有较高的实用价值。如，重复单元数越多，对Poly的去除速率抑制越大。要到达较高的多晶硅去除速率就要选择大于9以上的重复单元数。要达到较高的多晶硅速率，二甲基硅氧烷与三甲基硅氧烷的效果更好，若要有较高的多晶硅去除速率，则要选择三甲基硅氧烷。

参考文献中国专利公告CN－200910053672.8